特許

J-GLOBAL ID：201303060096329122

半導体装置及び半導体装置の製造装置

発明者： 吉本 則之 ,  藤代 博之 ,  小川 智
出願人/特許権者： 国立大学法人岩手大学
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-076349
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175744
出願日： 2013年04月01日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：

【課題】大気中でも製造可能であり、製造が容易であり、かつ、高い結晶配向性を有する単結晶薄膜を形成することが可能な薄膜の製造方法を提供すること。【解決手段】基体1上の薄膜材料を含む液状体2に側部界面3を形成し、かつ、側部界面3の位置を移動しつつ、液状体2から薄膜材料の結晶を基体1上に成長させる。側部界面3の位置を結晶の成長速度に合わせて移動させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基体上の薄膜材料を含む反磁性である液状体に、基体表面に対して直角方向の磁場により形成される側部界面は、 該薄膜材料の結晶が該基体上に、該側部界面の中心から放射状に規則正しく並びながら成長している薄膜により形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/368 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40

FI (6件)：

H01L29/78 618A ,  H01L21/368 L ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J ,  H01L29/28 310L

Fターム (18件)：

4H006AA03 ,  4H006AB91 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH02 ,  5F053HH04 ,  5F053HH05 ,  5F053LL10 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 低温薄膜トランジスタの作製方法およびトランジスタ・デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-064964   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
• 接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-089099   出願人：住友電気工業株式会社
• 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-306328   出願人：株式会社アドアップ

審査官引用 (4件)

• ポリアセン化合物及びその製造方法並びに有機半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-243072   出願人：旭化成株式会社
• 縮合多環式水素系有機薄膜の着接方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-078220   出願人：科学技術振興事業団
• 有機半導体薄膜の製造方法及び有機半導体薄膜、並びにそれを用いた有機電子デバイス及び有機電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-165922   出願人：三菱化学株式会社
• 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-058323   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社