炭素質ハードマスクによる二重露光パターニング

発明者： , , , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：園田吉隆 , 小林義教
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-147646
公開番号（公開出願番号）：特開2013-243384
出願日： 2013年07月16日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
要約：

【課題】2回以上フォトレジスト層を露光することによって、基板層における部材をパターニングする方法を提供する。【解決手段】炭素質マスク層は堆積されてから(210)、フォトレジスト層および中間層が動作(215)において炭素質マスク層上に堆積される。レチクルは基板層に整列され(225)、フォトレジストは第1回目の露光をされ(230)、第1の対のフォトレジストラインを形成する。基板層とレチクル間の整列を所定量だけオフセットして(235)、フォトレジストは2回目の露光がされ(240)、第1の露光によってプリントされたフォトレジストラインの少なくとも1つを分岐させる。2度目に露光されたフォトレジストは次いで現像される(245)。フォトレジスト層に形成された二重パターンによって、炭素質マスク層ならびに任意の他の非感光性中間層がパターニングされる(250)。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

フォトレジスト層の下に基板層を提供するステップと、前記フォトレジスト層を露光して、第1の対のフォトレジストラインを、これらの間に第1の空間を設けて形成するステップであって、前記第1の対のフォトレジストラインが前記基板層に対する第1の整列を有する前記ステップと、前記基板層に対する第2の整列を有するように前記第1の整列をオフセットするステップと、前記フォトレジスト層を再露光して、前記第1の対のフォトレジストラインのうちの少なくとも1つを第2の空間によって分岐させて、少なくとも第2の対のフォトレジストラインを、これらの間に前記第2の空間を設けて備える、ピッチおよび臨界寸法(CD)が削減された二重パターンを形成するステップと、前記ピッチおよびCDが削減された二重パターンを有するように前記基板層をエッチングするステップと、を備える二重露光パターニング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 9/00

FI (4件)：

H01L21/30 525X , H01L21/30 570 , H01L21/30 514A , G03F9/00 A

Fターム (18件)：

2H097AA11 , 2H097GB01 , 2H097GB02 , 2H097GB03 , 2H097KA03 , 2H097KA12 , 2H097KA13 , 2H097KA20 , 2H097KA22 , 2H097KA29 , 2H097LA10 , 5F146AA13 , 5F146BA04 , 5F146BA05 , 5F146EA04 , 5F146FC04 , 5F146FC05 , 5F146LA18

引用特許：

出願人引用 (9件)

半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-241537 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター
レジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-275005 出願人：東京応化工業株式会社
2重露光による増強されたリソグラフィ分解能
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-019007 出願人：エイエスエムエルネザランドズベスローテンフエンノートシャップ

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審査官引用 (9件)

半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-241537 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター
レジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-275005 出願人：東京応化工業株式会社
2重露光による増強されたリソグラフィ分解能
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-019007 出願人：エイエスエムエルネザランドズベスローテンフエンノートシャップ

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