半導体集積回路装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：渡邊隆 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-037641
公開番号（公開出願番号）：特開2013-145901
出願日： 2013年02月27日
公開日（公表日）： 2013年07月25日
要約：

【課題】半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】半導体基板と、半導体基板上に形成された第1の導電膜パターンと、第1の導電膜パターン上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された第2の導電膜パターンと、第2の導電膜パターン及び絶縁膜全面に形成され、半導体基板に輻射される紫外線を遮断する第1の紫外線遮断膜と、第1の紫外線遮断膜上に形成された金属間絶縁膜と、金属間絶縁膜上に形成された第3の導電膜パターンと、第3の導電膜パターン及び金属間絶縁膜全面に形成され、半導体基板に輻射される紫外線を遮断する第2の紫外線遮断膜と、を含む。これにより、半導体基板に紫外線が輻射されることを遮断して外部イオン及び水分が半導体基板に浸透することを遮断でき、半導体集積回路装置の動作特性を向上させうる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1の不純物を含む半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1の導電膜パターンと、前記第1の導電膜パターン上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された第2の導電膜パターンと、前記第2の導電膜パターン及び前記層間絶縁膜全面に形成され、前記半導体基板に輻射される紫外線を遮断する第1の紫外線遮断膜と、前記第1の紫外線遮断膜上にプラズマ蒸着工程によって形成された金属間絶縁膜と、前記金属間絶縁膜上に形成された第3の導電膜パターンと、前記第3の導電膜パターン及び前記金属間絶縁膜全面に形成され、前記半導体基板に輻射される紫外線を遮断する第2の紫外線遮断膜と、を含むことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 23/532 , H01L 21/768 , H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L21/90 K , H01L29/78 301N

Fターム (68件)：

5F033GG02 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH08 , 5F033HH18 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033KK18 , 5F033KK33 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ03 , 5F033QQ08 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033VV06 , 5F033WW04 , 5F033XX18 , 5F033XX24 , 5F033XX27 , 5F033XX32 , 5F140AA24 , 5F140AB01 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA16 , 5F140BH17 , 5F140BH49 , 5F140BJ07 , 5F140BJ10 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140BJ27 , 5F140CA03 , 5F140CA06 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC05 , 5F140CC06 , 5F140CC07 , 5F140CC08

引用特許：

審査官引用 (10件)

集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-248123 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
金属-絶縁体-金属キャパシタを有する半導体装置及びその方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-063878 出願人：三星電子株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-049771 出願人：三菱電機株式会社

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