特許
J-GLOBAL ID：201303074520483006
分光測定方法、散乱型近接場顕微鏡、及びチップ増強ラマンプローブの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
家入 健
, 岩瀬 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-281268
公開番号（公開出願番号）：特開2013-057689
出願日： 2012年12月25日
公開日（公表日）： 2013年03月28日
要約：
【課題】増強度の高い分光測定方法、散乱型近接場顕微鏡、及びチップ増強ラマンプローブの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の一態様にかかるチップ増強ラマンプローブの製造方法は、シリコン製のプローブを用意するステップと、プローブを酸化させるステップと、酸化したプローブの上に金属膜を形成するステップと、を備え、プローブを酸化させるステップでは、金属膜が形成されたプローブのプラズモン共鳴波長と、励起レーザの波長とが等しくなる厚さまでシリコンを酸化するものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
散乱型近接場顕微鏡にてサンプルを分光測定する分光測定方法であって、
チップ増強ラマンプローブを用意するステップと、
前記サンプルに励起レーザ光を入射させるステップと、
前記チップ増強ラマンプローブのプローブを前記サンプルの表面に近接させるステップと、
前記プローブが近接した状態のサンプルに前記励起レーザ光を入射させることによって発生するラマン散乱光を分光して、測定するステップと、を備え、
前記チップ増強ラマンプローブは、
少なくともSiO2層と金属からなる表面層との積層構造を有し、
前記SiO2層が、前記プローブのプラズモン共鳴波長と前記励起レーザ光の波長とが等しくなる厚さになっている、分光測定方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G01Q60/22 101
, G01Q60/22 111
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (3件)
引用文献：
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