特許
J-GLOBAL ID：201303082020322793
電極構造、半導体素子、半導体装置、サーマルヘッドおよびサーマルプリンタ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-101319
公開番号（公開出願番号）：特開2013-229491
出願日： 2012年04月26日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：
【課題】シェア強度の向上した電極構造を提供する。【解決手段】電極構造C1は、基体2と、基体2上に設けられ、一部に載置部6を有した電極4と、電極4の載置部6以外の部位を覆うように設けられた保護層8と、載置部6上に設けられ、一部が保護層8上に位置するめっき層10とを備え、保護層8上に位置するめっき層10の上面に窪み部13が設けられていることから、電極構造C1のシェア強度を向上させることができ、シェア強度の向上した電極構造を提供することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基体と、
該基体上に設けられ、一部に載置部を有した電極と、
該電極の前記載置部以外の部位を覆うように設けられた保護層と、
前記載置部上に設けられ、一部が前記保護層上に位置するめっき層と、を備え、
前記保護層上に位置する前記めっき層の上面に窪み部が設けられていることを特徴とする電極構造。
IPC (2件)：
FI (6件)：
H01L21/92 602H
, B41J3/20 113K
, H01L21/60 311Q
, H01L21/92 602R
, H01L21/92 604B
, H01L21/92 604D
2C065GA01
, 2C065GB01
, 2C065KK03
, 2C065KK16
, 2C065KK23
, 5F044KK02
, 5F044KK04
, 5F044LL01
, 5F044LL09
