特許
J-GLOBAL ID：201303093929763650

半導体装置およびその作製方法

発明者：
神保 安弘

神保 安弘 について

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大力 浩二

大力 浩二 について

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宮入 秀和

宮入 秀和 について

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木村 知洋

木村 知洋 について

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山元 良高

山元 良高 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について

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シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (2件)： 柳瀬 睦肇 ,  渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-117148
公開番号（公開出願番号）：特開2013-008956
出願日： 2012年05月23日
公開日（公表日）： 2013年01月10日
要約：
【課題】ソース電極およびドレイン電極間におけるオフリーク電流の低減を課題とする。【解決手段】本発明の一態様は、ゲート電極101と、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜102,103と、前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極の上方に位置する活性層104と、前記活性層の側面及び前記ゲート絶縁膜の上に形成されたシリコン層105,106と、前記シリコン層上に形成されたソース電極107aおよびドレイン電極107bと、を具備し、前記活性層は、前記ソース電極および前記ドレイン電極それぞれと接しないことを特徴とする半導体装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、 前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極の上方に位置する活性層と、 前記活性層の側面及び前記ゲート絶縁膜の上に形成されたシリコン層と、 前記シリコン層上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、 を具備し、 前記活性層は、前記ソース電極および前記ドレイン電極それぞれと接しないことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/417
FI (7件)：
H01L29/78 616U ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/50 M
Fターム (98件)：
4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB37 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD24 ,  4M104DD26 ,  4M104DD28 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD47 ,  4M104DD49 ,  4M104DD62 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104DD72 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF01 ,  4M104FF06 ,  4M104FF08 ,  4M104FF09 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF26 ,  4M104GG09 ,  4M104HH08 ,  4M104HH13 ,  4M104HH20 ,  5F110AA02 ,  5F110AA04 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG14 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK18 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK28 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HM02 ,  5F110NN13 ,  5F110NN15 ,  5F110NN16 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN32 ,  5F110NN33 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (10件)
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