ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその作成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人谷・阿部特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-035398
公開番号（公開出願番号）：特開2013-172023
出願日： 2012年02月21日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
要約：

【課題】最高動作温度が高く、最大ドレイン電流が高い実用的なダイヤモンド電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】本発明に係るダイヤモンド電界効果トランジスタは、ダイヤモンド基板(400)と、前記ダイヤモンド基板表面が水素原子で終端された表面層(402)と、前記表面層上に形成された水素と窒素と酸素とのうちのいずれかを含む分子からなる第一の吸着層(404)と、前記第一の吸着層上に互いに離間して形成されたソース電極(406)及びドレイン電極(408)と、前記ソース電極とドレイン電極との間に形成されたNO2分子を含む第二の吸着層(410)と、第二の吸着層上の保護層(412)と、前記保護層上にかつソース電極とドレイン電極との間に形成されたゲート電極(414)とを備える。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド基板と、前記ダイヤモンド基板の表面を水素原子で終端することにより形成された表面層と、前記表面層上に形成された、水素と窒素と酸素とのうちのいずれかを含む分子からなる第一の吸着層と、前記第一の吸着層上に互いに離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極と、前記ドレイン電極との間に形成されたNO2分子を含む第二の吸着層と、前記第二の吸着層上に、ソース電極と、ドレイン電極との間に離間して形成されたゲート電極とを備えたことを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L29/80 Q , H01L29/78 301B , H01L21/316 X

Fターム (27件)：

5F058BC03 , 5F058BE10 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BJ01 , 5F058BJ03 , 5F102FA02 , 5F102FA04 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GV05 , 5F102GV06 , 5F102HC01 , 5F140AA07 , 5F140AA29 , 5F140BA04 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE01 , 5F140BE09 , 5F140BF01

引用特許：

審査官引用 (5件)

ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-228654 出願人：日本電信電話株式会社
ダイヤモンド薄膜およびダイヤモンド電界効果トランジスター
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-173053 出願人：日本電信電話株式会社, 学校法人早稲田大学
水素終端ダイヤモンドデプレッション型MESFETおよび該デプレッション型MESFETの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-321479 出願人：東京瓦斯株式会社

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