特許
J-GLOBAL ID：201303096015433030

ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその作成方法

発明者：
平間 一行

平間 一行 について

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佐藤 寿志

佐藤 寿志 について

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嘉数 誠

嘉数 誠 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-035398
公開番号（公開出願番号）：特開2013-172023
出願日： 2012年02月21日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
要約：
【課題】最高動作温度が高く、最大ドレイン電流が高い実用的なダイヤモンド電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】本発明に係るダイヤモンド電界効果トランジスタは、ダイヤモンド基板(400)と、前記ダイヤモンド基板表面が水素原子で終端された表面層(402)と、前記表面層上に形成された水素と窒素と酸素とのうちのいずれかを含む分子からなる第一の吸着層(404)と、前記第一の吸着層上に互いに離間して形成されたソース電極(406)及びドレイン電極(408)と、前記ソース電極とドレイン電極との間に形成されたNO2分子を含む第二の吸着層(410)と、第二の吸着層上の保護層(412)と、前記保護層上にかつソース電極とドレイン電極との間に形成されたゲート電極(414)とを備える。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
ダイヤモンド基板と、 前記ダイヤモンド基板の表面を水素原子で終端することにより形成された表面層と、 前記表面層上に形成された、水素と窒素と酸素とのうちのいずれかを含む分子からなる第一の吸着層と、 前記第一の吸着層上に互いに離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極と、前記ドレイン電極との間に形成されたNO2分子を含む第二の吸着層と、 前記第二の吸着層上に、ソース電極と、ドレイン電極との間に離間して形成されたゲート電極と を備えたことを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/316
FI (3件)：
H01L29/80 Q ,  H01L29/78 301B ,  H01L21/316 X
Fターム (27件)：
5F058BC03 ,  5F058BE10 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ03 ,  5F102FA02 ,  5F102FA04 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102HC01 ,  5F140AA07 ,  5F140AA29 ,  5F140BA04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE01 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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