特許
J-GLOBAL ID：201103082491035439

ダイヤモンド薄膜およびダイヤモンド電界効果トランジスター

発明者：
嘉数 誠

嘉数 誠 について

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川原田 洋

川原田 洋 について

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平間 一行

平間 一行 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について

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学校法人早稲田大学

学校法人早稲田大学 について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-173053
公開番号（公開出願番号）：特開2011-029372
出願日： 2009年07月24日
公開日（公表日）： 2011年02月10日
要約：
【課題】本発明の目的は、従来技術のデバイスのドレイン電流値が実用的には少なすぎ、試料を昇温すると、ある温度以上でドレイン電流が劇的に減少し、元に戻らず、デバイスが劣化するという問題を解決するダイヤモンド電界効果トランジスターおよびダイヤモンド多層膜。【解決手段】ダイヤモンド上に水素を含む第1の表面層があり、その上にソース電極、ゲート電極、ドレイン電極が順に並んでおり、ソース電極-ゲート電極間、およびゲート電極-ドレイン電極間の上記ダイヤモンド結晶の第1の表面層上に、フッ素を含む保護層があることを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスター。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ダイヤモンド上に水素を含む第1の表面層があり、 その上にソース電極、ゲート電極、ドレイン電極が順に並んでおり、 ソース電極-ゲート電極間、およびゲート電極-ドレイン電極間の上記ダイヤモンド結晶の第1の表面層上に、フッ素を含む保護層があることを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスター。
IPC (3件)：
H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/312
FI (3件)：
H01L29/80 Q ,  H01L29/80 B ,  H01L21/312 A
Fターム (14件)：
5F058AA10 ,  5F058AB10 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AH01 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL04 ,  5F102GV05 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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