バルクのマイクロマシニング技術を用いたアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの製作

IWAMATSU Shinnosuke; TAKECHI Kazushige; YAHAGI Toru; ABE Yutaka; TANABE Hiroshi; KOBAYASHI Seiya

文献

J-GLOBAL ID：201402264003656712 整理番号：14A0829277

バルクのマイクロマシニング技術を用いたアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの製作

Fabrication of suspended amorphous indium-gallium-zinc oxide thin-film transistors using bulk micromachining techniques

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著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 53 号： 6 ページ： 066503.1-066503.7 発行年： 2014年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本論では,アモルファスIn-Ga-Zn-O(a-InGaZnO)薄膜のマイクロマシン技術(MEMS)への新規な応用を提案する。この目的のために,マグネトロンスパッタリングで成長したa-InGaZnO薄膜における残留ストレスを調査した。様々な残留ストレスを有した当該薄膜を,原子間力顕微鏡,走査型電子顕微鏡,およびX線回折を用いて評価した。様々な残留応力を有するa-InGaZnOの本質をもう少し調べるために,a-InGaZnO薄膜トランジスタ(TFTs)を作成し,その転送特性を測定した。また,a-InGaZnOをMEMSデバイスに応用するために,a-InGaZnOを自立したメンブレン上に作成し,典型的なTFT作成プロセスとマイクロマシン技術を組み合わせた。(翻訳著者抄録)

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非晶質半導体の構造 , トランジスタ

引用文献 (27件)：

K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004).
K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirono, and H. Hosono, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 4303 (2006).
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S.-H. Hong, I.-S. Yang, J.-S. Kang, T.-H. Hwang, O.-K. Kwon, C.-W. Byun, W.-S. Cheong, C.-S. Hwang, and K.-I. Cho, Jpn. J. Appl. Phys. 49, 03CB05 (2010).

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