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文献
J-GLOBAL ID：201402264003656712
整理番号：14A0829277 バルクのマイクロマシニング技術を用いたアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの製作
Fabrication of suspended amorphous indium-gallium-zinc oxide thin-film transistors using bulk micromachining techniques
クリップIWAMATSU Shinnosuke
IWAMATSU Shinnosuke について
(Yamagata Res. Inst. Technol., Yamagata, JPN)
, Yamagata Res. Inst. Technol., Yamagata, JPN について
TAKECHI Kazushige
TAKECHI Kazushige について
(NLT Technol., Ltd., Kawasaki, JPN)
, NLT Technol., Ltd., Kawasaki, JPN について
YAHAGI Toru
YAHAGI Toru について
(Yamagata Res. Inst. Technol., Yamagata, JPN)
, Yamagata Res. Inst. Technol., Yamagata, JPN について
ABE Yutaka
ABE Yutaka について
(Yamagata Res. Inst. Technol., Yamagata, JPN)
, Yamagata Res. Inst. Technol., Yamagata, JPN について
TANABE Hiroshi
TANABE Hiroshi について
(NLT Technol., Ltd., Kawasaki, JPN)
, NLT Technol., Ltd., Kawasaki, JPN について
KOBAYASHI Seiya
KOBAYASHI Seiya について
(Yamagata Res. Inst. Technol., Yamagata, JPN)
Yamagata Res. Inst. Technol., Yamagata, JPN について
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
Japanese Journal of Applied Physics について
巻： 53 号： 6 ページ： 066503.1-066503.7 発行年： 2014年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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本論では,アモルファスIn-Ga-Zn-O(a-InGaZnO)薄膜のマイクロマシン技術(MEMS)への新規な応用を提案する。この目的のために,マグネトロンスパッタリングで成長したa-InGaZnO薄膜における残留ストレスを調査した。様々な残留ストレスを有した当該薄膜を,原子間力顕微鏡,走査型電子顕微鏡,およびX線回折を用いて評価した。様々な残留応力を有するa-InGaZnOの本質をもう少し調べるために,a-InGaZnO薄膜トランジスタ(TFTs)を作成し,その転送特性を測定した。また,a-InGaZnOをMEMSデバイスに応用するために,a-InGaZnOを自立したメンブレン上に作成し,典型的なTFT作成プロセスとマイクロマシン技術を組み合わせた。(翻訳著者抄録)
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シソーラス用語：
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*マイクロマシニング
, マイクロマシニング について
*非晶質半導体
, 非晶質半導体 について
ガリウム化合物
, ガリウム化合物 について
亜鉛化合物
, 亜鉛化合物 について
酸化インジウム
, 酸化インジウム について
*薄膜トランジスタ
, 薄膜トランジスタ について
*残留応力
, 残留応力 について
特性
, 特性 について
酸化インジウム・ガリウム・亜鉛
酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 について
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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In-Ga-Zn-O
, In-Ga-Zn-O について
輸送特性
輸送特性 について
分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
非晶質半導体の構造
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
(BK04030O)
, トランジスタ
非晶質半導体の構造 について
(NC03070N)
トランジスタ について
引用文献 (27件)：
- K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004).
- K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirono, and H. Hosono, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 4303 (2006).
- H. Yamaguchi, T. Ueda, K. Miura, N. Saito, S. Nakano, T. Sakano, K. Sugi, and I. Amemiya, Proc. IDW'12, 2012, p. 851.
- Y.-H. Yeh, C.-C. Cheng, M.-J. Yu, H.-C. Ku,B. C.-M. Lai, B.-Y. Chou, E. Horii, E. Kuribayashi, T. Iwamoto, M. Yamazaki, H. Inari, and K. Kurimoto, Proc. IDW'12, 2012, p. 859.
- S.-H. Hong, I.-S. Yang, J.-S. Kang, T.-H. Hwang, O.-K. Kwon, C.-W. Byun, W.-S. Cheong, C.-S. Hwang, and K.-I. Cho, Jpn. J. Appl. Phys. 49, 03CB05 (2010).
タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
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バルク
, バルク について
マイクロマシニング技術
, マイクロマシニング技術 について
アモルファス
, アモルファス について
In-Ga-Zn-O
, In-Ga-Zn-O について
薄膜トランジスタ
, 薄膜トランジスタ について
製作
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