電子デバイスの製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：木下茂 , 石村理恵
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-006358
公開番号（公開出願番号）：特開2014-138107
出願日： 2013年01月17日
公開日（公表日）： 2014年07月28日
要約：

【課題】オンデマンドでの対応が可能であり、高精細で簡便に形成することができる電極パターンを備えた電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に、該基板1とは異なる材質からなり、該基板1よりも高い表面エネルギーを持つ、電極パターン形状の第一層2をガスカーテン方式レーザCVD法により形成し、前記第一層2の上面に、導電性ナノインクにより第二層3を形成することによって、電子デバイスの電極パターンを形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、前記基板とは異なる材質からなり、前記基板よりも高い表面エネルギーを持つ、電極パターン形状の第一層と、前記第一層の上面に、導電性ナノインクにより形成された第二層とを備えた電子デバイスの製造方法において、前記第一層をガスカーテン方式レーザCVD法により形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 , C23C 16/48 , H01L 21/285 , H01L 21/288

FI (4件)：

H01L21/28 A , C23C16/48 , H01L21/285 C , H01L21/288 Z

Fターム (28件)：

4K030AA12 , 4K030AA16 , 4K030BA20 , 4K030CA06 , 4K030CA17 , 4K030DA02 , 4K030DA03 , 4K030DA08 , 4K030EA03 , 4K030FA07 , 4K030KA01 , 4K030LA15 , 4M104AA09 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104DD43 , 4M104DD44 , 4M104DD48 , 4M104DD51 , 4M104DD79 , 4M104EE02 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104HH14

引用特許：

出願人引用 (8件)

配線パターン及びその形成方法、電気光学装置、並びに電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-247914 出願人：セイコーエプソン株式会社
金属層の形成方法、金属層、及び金属層を用いた表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-323712 出願人：株式会社液晶先端技術開発センター
有機薄膜トランジスタの製造方法、有機薄膜トランジスタレイの製造方法及び表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-052396 出願人：株式会社リコー

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