薄膜はんだ接合

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：名古屋国際特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-508174
公開番号（公開出願番号）：特表2014-512699
出願日： 2012年04月29日
公開日（公表日）： 2014年05月22日
要約：

太陽電池構築及び接合/層転送のための装置、システム及び方法が本願に開示されている。太陽電池構築の例示的な構造は、単結晶ドナー層を提供することを含む。はんだ接合層は、ドナー層をキャリア基板に接合する。多孔質層は、ドナー層を分離するために使用され得る。

請求項（抜粋）：

単結晶太陽電池装置であって、単結晶ドナー層と、キャリア基板とを備え、はんだ接合層が、前記ドナー層を前記キャリア基板に接合していることを特徴とする単結晶太陽電池装置。

IPC (1件)：

H01L 31/06

FI (1件)：

H01L31/04 A

Fターム (22件)：

5F151AA02 , 5F151AA08 , 5F151CB02 , 5F151CB08 , 5F151CB12 , 5F151CB13 , 5F151CB14 , 5F151CB15 , 5F151CB20 , 5F151CB24 , 5F151DA03 , 5F151DA17 , 5F151DA19 , 5F151EA09 , 5F151EA11 , 5F151EA15 , 5F151FA06 , 5F151FA14 , 5F151FA15 , 5F151GA04 , 5F151GA20 , 5F151HA07

引用特許：

審査官引用 (10件)

反転変性多接合太陽電池の代替基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-276954 出願人：エムコアソーラーパワーインコーポレイテッド
薄膜半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-306522 出願人：ソニー株式会社
半導体素子および半導体素子のダイボンド接続方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-336237 出願人：三菱電機株式会社

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