半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-055227
公開番号（公開出願番号）：特開2014-183094
出願日： 2013年03月18日
公開日（公表日）： 2014年09月29日
要約：

【課題】半導体装置に用いられる低誘電率絶縁膜の吸湿を抑え、性能、信頼性の高い半導体装置を実現する。【解決手段】半導体装置は、基板10と、基板10の主面11の一部に配設された絶縁膜20と、絶縁膜20の表面に配設された導電部30と、基板10の主面11、絶縁膜20及び導電部30を覆い、絶縁膜20よりも高耐湿の絶縁膜40とを含む構造部1Aを有する。基板10と導電部30の間には寄生容量の発生を抑える絶縁膜20を設け、これをより高耐湿の絶縁膜で覆うことで、絶縁膜20の吸湿を抑える。これにより、半導体装置の性能、信頼性の向上を図る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の第1面の一部に配設された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜の表面に配設された第1導電部と、前記第1面、前記第1絶縁膜及び前記第1導電部を覆い、前記第1絶縁膜よりも高い耐湿性を有する第2絶縁膜とを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/768 , H01L 23/532 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 21/283

FI (5件)：

H01L21/90 S , H01L21/316 Z , H01L21/318 Z , H01L29/80 H , H01L21/283 C

Fターム (76件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104DD08 , 4M104DD20 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104EE02 , 4M104EE05 , 4M104EE06 , 4M104EE09 , 4M104EE14 , 4M104EE18 , 4M104EE20 , 4M104FF07 , 4M104FF13 , 4M104GG12 , 4M104HH20 , 5F033GG02 , 5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH25 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ18 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033LL04 , 5F033MM05 , 5F033MM18 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ41 , 5F033QQ54 , 5F033QQ73 , 5F033QQ74 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR27 , 5F033RR29 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033TT08 , 5F033VV00 , 5F033VV06 , 5F033XX00 , 5F033XX17 , 5F033XX24 , 5F058BA07 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BF02 , 5F058BJ02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GJ02 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GS04 , 5F102GV05 , 5F102GV06 , 5F102HC10 , 5F102HC19

引用特許：

審査官引用 (15件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-032354 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平4-291733
浅いイオン注入された領域を含む半導体デバイスとその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-089272 出願人：クリーインコーポレイテッド

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