特許
J-GLOBAL ID：201403044222444015
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
奥田 誠司
, 喜多 修市
, 梶谷 美道
, 岡部 英隆
, 三宅 章子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-505805
特許番号：特許第5395309号
出願日： 2012年03月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板と、
前記基板の主面上に配置され、炭化珪素によって構成された半導体層と、
前記半導体層の上面から内部に配置された、底面、複数の側面および隣接する2つの側面をそれぞれ接合する複数の角部を含む表面を有するトレンチであって、前記基板の前記主面に垂直な方向から見て、前記トレンチは、n個の頂点およびn個の辺を有する多角形であり、前記複数の角部はn個の角部であって、前記多角形の前記n個の頂点のそれぞれには、前記複数の角部の1つが位置しており、前記複数の側面はn個の側面であって、前記多角形の前記n個の辺のそれぞれには、前記複数の側面の1つが位置しており、
前記トレンチの前記底面上、前記複数の側面上、前記複数の角部上、および前記半導体層の前記上面の一部上に配置されたゲート絶縁膜と、
前記トレンチ内に配置され、前記ゲート絶縁膜によって前記半導体層と絶縁されたゲート電極と
を備え、
前記半導体層は、第1導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域上に配置された第2導電型のボディ領域とを含み、
前記トレンチは、前記ボディ領域を貫通し、前記ドリフト領域の内部に前記底面を有しており、
前記トレンチの前記複数の角部は凹部を有しておらず、
前記ゲート絶縁膜は、前記トレンチの前記複数の角部上、前記複数の角部のそれぞれが前記半導体層の前記上面に接する位置上および前記複数の角部のそれぞれが前記半導体層の前記底面に接する位置上で、前記トレンチの前記複数の側面上よりも厚く、
前記ゲート絶縁膜のうち前記複数の角部上、前記複数の角部のそれぞれが前記半導体層の前記上面に接する前記位置上および前記複数の角部のそれぞれが前記半導体層の前記底面に接する前記位置上に位置する部分は第1絶縁層であり、前記ゲート絶縁膜のうち前記複数の側面上に位置する部分は第2絶縁層であり、
前記第1絶縁層は、前記複数の角部のそれぞれが前記半導体層の前記上面に接する前記位置、前記複数の角部および前記複数の角部のそれぞれが前記半導体層の前記底面に接する前記位置を覆うように配置されており、
前記第1絶縁層は堆積膜であり、前記第2絶縁層は熱酸化膜であり、前記第2絶縁層は、前記トレンチの前記表面のうち前記第1絶縁層が配置されていない部分にのみ配置されている半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 658 F
, H01L 29/78 658 G
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (1件)
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