特許
J-GLOBAL ID：201403050230796915
EUVリソグラフィ用の光学機構及び該光学機構を構成する方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
杉村 憲司
, 下地 健一
, 坪内 伸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-136845
公開番号（公開出願番号）：特開2013-095659
特許番号：特許第5552140号
出願日： 2012年06月18日
公開日（公表日）： 2013年05月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 EUV放射線を反射する表面(31a、36a)及びTiO2ドープ石英ガラスから構成された基板(32、37)を有する少なくとも2つの光学素子(22、24)を備える、EUVリソグラフィ用の光学機構を構成する方法であって、
TiO2ドープ石英ガラスから構成された第1基板群又は第2基板群から前記光学素子(22、24)用の基板(32、37)を選択するステップを含み、前記第1群は、第1ゼロ交差温度(TZC1,0)でゼロ交差を有する温度依存性の熱膨張率を有し、前記第2群は、前記第1ゼロ交差温度とは異なる第2ゼロ交差温度(TZC2,0)でゼロ交差を有する熱膨張率を有し、前記第1ゼロ交差温度(TZC1,0)における前記第1基板群(32)の熱膨張率の勾配(ΔCTE1,0)及び/又は前記第2ゼロ交差温度(TZC2,0)における前記第2基板群(37)の熱膨張率の勾配(ΔCTE2,0)は、負の符号を有し、
前記光学素子(22、24)の前記所望のゼロ交差温度(TZC1、TZC2)での熱膨張率の前記勾配(ΔCTE1,0、ΔCTE2,0)を1.0ppb/K2未満の絶対値に減らすために、選択基板(32、37)の熱処理を行うステップをさらに含む方法。
IPC (6件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01)
, G03F 7/20 ( 200 6.01)
, C03C 3/06 ( 200 6.01)
, C03B 20/00 ( 200 6.01)
, C03C 17/10 ( 200 6.01)
, G02B 19/00 ( 200 6.01)
H01L 21/30 531 A
, H01L 21/30 515 D
, G03F 7/20 503
, C03C 3/06
, C03B 20/00 K
, C03C 17/10
, G02B 19/00
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (11件)
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