電界効果型トランジスタの製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (10件)：岡部讓 , 田中尚文 , 臼井伸一 , 越智隆夫 , 本宮照久 , 高橋誠一郎 , 吉澤弘司 , 齋藤正巳 , 木村克彦 , ▲濱▼口岳久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-058087
公開番号（公開出願番号）：特開2012-160740
特許番号：特許第5451801号
出願日： 2012年03月15日
公開日（公表日）： 2012年08月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】電界効果型トランジスタの製造方法であって、基板を用意する第1の工程、及び該基板上に非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する第2の工程を備え、該非晶質酸化物は、In-Zn-Ga-O系酸化物、In-Zn-Ga-Mg-O系酸化物、In-Zn-O系酸化物、In-Sn-O系酸化物、In-Ga-O系酸化物、及びSn-In-Zn-O系酸化物のうちのいずれかであり、且つ該第2の工程を、成長室に設置されたオゾン発生装置から、オゾンガスを成長室に導入する工程、窒素酸化物ガスを成長室の外部から成長室に導入する工程、成長室に設置されたラジカル発生装置から、酸素ラジカルを成長室に導入する工程、成長室に設置されたプラズマ発生装置から、酸素イオンを該基板に向けて照射する工程、から選択されるいずれかの工程により発生させた、オゾンガス、窒素酸化物ガス、酸素イオン、酸素ラジカルの少なくともいずれかを含む雰囲気中で行うと共に、製造された該電界効果型トランジスタは、前記非晶質酸化物の電子キャリア濃度は1015/cm3以上、1018/cm3未満であり、ゲート電圧無印加時のソース-ドレイン端子間の電流が10マイクロアンペア未満であり、電界効果移動度が2cm2/(V・秒)超であることを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 21/363 ( 200 6.01) , H01L 21/316 ( 200 6.01) , C23C 14/08 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 29/78 618 A , H01L 29/78 618 B , H01L 21/363 , H01L 21/316 Y , H01L 21/316 X , H01L 21/316 P , C23C 14/08 K

引用特許：

出願人引用 (6件)

薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-086175 出願人：ミノルタ株式会社
透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-208948 出願人：ホーヤ株式会社
半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-223042 出願人：ミノルタ株式会社

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引用文献：

出願人引用 (2件)

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