特許
J-GLOBAL ID：201403065951934178

発光素子

発明者：
ジョン,ファニ

ジョン,ファニ について


出願人/特許権者：
エルジー イノテック カンパニー リミテッド

エルジー イノテック カンパニー リミテッド について


代理人 (5件)： 岩瀬 吉和 ,  小野 誠 ,  金山 賢教 ,  重森 一輝 ,  市川 英彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-249797
公開番号（公開出願番号）：特開2014-135480
出願日： 2013年12月03日
公開日（公表日）： 2014年07月24日
要約：
【課題】本発明は、光抽出効率を向上させて歩留まりを向上させることができる発光素子、発光素子パッケージ、及びライトユニットを提供するためのものである。【解決手段】本発明に従う発光素子は、第1導電型半導体層、前記第1導電型半導体層の下に活性層、前記活性層の下に第2導電型半導体層を含む発光構造物、前記発光構造物の下に配置され、前記第1導電型半導体層に電気的に連結された第1電極、前記発光構造物の下に配置され、前記第2導電型半導体層に電気的に連結された第2電極、前記発光構造物を貫通して配置され、第1領域は前記第1電極に電気的に連結され、第2領域は前記第1導電型半導体層の上部面に接触した第1コンタクト部を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体層、前記第1導電型半導体層の下に活性層、前記活性層の下に第2導電型半導体層を含む発光構造物と、 前記発光構造物の下に配置され、前記第1導電型半導体層に電気的に連結された第1電極と、 前記発光構造物の下に配置され、前記第2導電型半導体層に電気的に連結された第2電極と、 前記発光構造物を貫通して配置され、第1領域は前記第1電極に電気的に連結され、第2領域は前記第1導電型半導体層の上部面に接触した第1コンタクト部と、 を含むことを特徴とする、発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/38 ,  H01L 33/48
FI (2件)：
H01L33/00 210 ,  H01L33/00 400
Fターム (38件)：
5F141AA03 ,  5F141AA41 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA12 ,  5F141CA40 ,  5F141CA74 ,  5F141CA88 ,  5F141CA91 ,  5F141CA98 ,  5F141CB15 ,  5F141FF01 ,  5F141FF11 ,  5F142BA02 ,  5F142BA24 ,  5F142CA03 ,  5F142CC04 ,  5F142CD13 ,  5F142CD15 ,  5F142CD17 ,  5F142CE02 ,  5F142CE13 ,  5F142CE14 ,  5F142CE16 ,  5F142CG01 ,  5F142DA12 ,  5F142DB32 ,  5F142DB34 ,  5F142DB36 ,  5F142DB38 ,  5F142DB42 ,  5F142DB44 ,  5F142EA02 ,  5F142EA32 ,  5F142EA34 ,  5F142GA02 ,  5F142GA11 ,  5F142GA21
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (7件)
  • 発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-026737   出願人：エルジーイノテックカンパニーリミテッド
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-055859   出願人：株式会社東芝
  • オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2010-504441   出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
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