特許
J-GLOBAL ID：201403071709874500

半導体装置およびその製造方法

発明者：
濱 口 雅 史

濱 口 雅 史 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  関根 毅 ,  山ノ井 傑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-003608
公開番号（公開出願番号）：特開2014-135436
出願日： 2013年01月11日
公開日（公表日）： 2014年07月24日
要約：
【課題】複数回露光を一回露光に置き換えてコンタクトを作製する場合において、不規則なレイアウト依存性の発生を抑制可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】一の実施形態によれば、半導体装置は、基板と、前記基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを備える。さらに、前記装置は、前記基板内に前記ゲート電極を挟むように形成されたソース拡散層およびドレイン拡散層と、前記ソース拡散層上に形成された1つ以上のソースコンタクトと、前記ドレイン拡散層上に形成された1つ以上のドレインコンタクトとを備える。さらに、前記ソースコンタクトおよび前記ドレインコンタクトの少なくともいずれかは、同一の前記ソース拡散層上または同一の前記ドレイン拡散層上において、第1のサイズを有する第1のコンタクトと、前記第1のサイズよりも大きい第2のサイズを有する第2のコンタクトとを含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 前記基板内に前記ゲート電極を挟むように形成されたソース拡散層およびドレイン拡散層と、 前記ソース拡散層上に形成された1つ以上のソースコンタクトと、 前記ドレイン拡散層上に形成された1つ以上のドレインコンタクトとを備え、 前記ソースコンタクトおよび前記ドレインコンタクトの少なくともいずれかは、同一の前記ソース拡散層上または同一の前記ドレイン拡散層上において、第1のサイズを有する第1のコンタクトと、前記第1のサイズよりも大きい第2のサイズを有する第2のコンタクトとを含み、 前記第2のコンタクトの抵抗は、N個(Nは2以上の整数)の前記第1のコンタクトを並列接続した場合の抵抗の0.9倍から1.1倍であり、 前記半導体装置は、28nm世代以降の半導体装置である、 半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768 ,  G03F 1/70
FI (4件)：
H01L29/78 301Y ,  H01L21/28 L ,  H01L21/90 C ,  G03F1/70
Fターム (26件)：
2H095BB02 ,  2H095BB36 ,  2H095BC09 ,  4M104DD06 ,  4M104GG09 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F033NN34 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ37 ,  5F033UU03 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033XX00 ,  5F033XX34 ,  5F140AA10 ,  5F140AA29 ,  5F140AA39 ,  5F140AA40 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BJ25 ,  5F140BJ27 ,  5F140BJ28 ,  5F140BK26 ,  5F140CE11
引用特許：
審査官引用 (8件)
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