特許
J-GLOBAL ID：201403072677206159

記憶層材料を備えた磁気素子

発明者：
シャオチュン・ジュウ

シャオチュン・ジュウ について

, 
シア・リ

シア・リ について

, 
スン・エイチ・カン

スン・エイチ・カン について


出願人/特許権者：
クアルコム,インコーポレイテッド

クアルコム,インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 村山 靖彦 ,  黒田 晋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-234723
公開番号（公開出願番号）：特開2014-078722
出願日： 2013年11月13日
公開日（公表日）： 2014年05月01日
要約：
【課題】スイッチング電流及びスイッチング場の変動を減少させる磁気トンネル接合(MTJ)素子を提供する。【解決手段】磁気トンネル接合(MTJ)素子300は、リファレンス強磁性層310と、記憶強磁性層330aと、絶縁層320とを含む。記憶強磁性層330aは、非磁性サブ層を介してCoFeサブ層及び/又はNiFeサブ層に結合されたCoFeBサブ層を含む。絶縁層320はリファレンス強磁性層310と記憶強磁性層330aとの間に配置される。非磁性サブ層であるRuサブ層は、非磁性サブ層を形成する他の非磁性材料に置換可能である。【選択図】図3A
請求項（抜粋）：
リファレンス強磁性層と、 非磁性サブ層を介してコバルト-鉄(CoFe)サブ層に結合されたコバルト-鉄-ホウ素(CoFeB)サブ層を備えた記憶強磁性層と、 前記リファレンス強磁性層と前記記憶強磁性層との間に配置された絶縁層と、を備えた磁気トンネル接合(MTJ)素子であって、 前記非磁性サブ層がクロム(Cr)である、MTJ素子。
IPC (7件)：
H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 29/82 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32
FI (6件)：
H01L43/08 M ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32
Fターム (30件)：
4M119AA03 ,  4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD09 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA30 ,  5E049DB12 ,  5E049DB14 ,  5F092AA01 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BC04 ,  5F092BC08 ,  5F092BC13 ,  5F092BC19
引用特許：
審査官引用 (8件)
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