特許
J-GLOBAL ID:200903064641258915
成膜装置、成膜方法、及び光電変換装置の作製方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-257478
公開番号(公開出願番号):特開2007-119911
出願日: 2006年09月22日
公開日(公表日): 2007年05月17日
要約:
【課題】基板のカールを抑制し、信頼性の高い光電変換装置を得ることを課題とする。【解決手段】基板を送り出すローラを有する第1の搬送室と、放電電極を有する成膜室と、前記搬送室と前記成膜室との間、もしくは前記成膜室どうしの間に設置されたバッファ室と、前記バッファ室の前記基板が出入りする部分に設けられたスリットと、前記基板を巻き取るローラを有する第2の搬送室と有し、前記スリットには少なくとも1つのタッチロールが設置されており、前記タッチローラは前記基板の成膜面に接触する成膜装置、及びこのような成膜装置を用いて行う成膜方法並びに光電変換装置の作製方法に関する。このような成膜方法を用いると、素子の受光領域に傷を付けるのを防ぐことができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板を送り出すローラを有する第1の搬送室と、
放電電極を有する成膜室と、
前記搬送室と前記成膜室との間、もしくは前記成膜室どうしの間に設置されたバッファ室と、
前記バッファ室の前記基板が出入りする部分に設けられたスリットと、
前記基板を巻き取るローラを有する第2の搬送室と、
を有し、
前記スリットには少なくとも1つのタッチローラが設置されており、
前記タッチローラは前記基板の成膜面に接触することを特徴とする成膜装置。
IPC (3件):
C23C 16/54
, H01L 31/04
, H01L 31/10
FI (4件):
C23C16/54
, H01L31/04 T
, H01L31/04 V
, H01L31/10 A
Fターム (53件):
4K030AA06
, 4K030BA09
, 4K030BA29
, 4K030BA48
, 4K030BB04
, 4K030BB05
, 4K030BB12
, 4K030CA07
, 4K030CA17
, 4K030FA03
, 4K030GA14
, 4K030KA15
, 4K030LA16
, 5F049MA04
, 5F049MB04
, 5F049MB05
, 5F049NA08
, 5F049NB10
, 5F049RA04
, 5F049SE02
, 5F049SE03
, 5F049SE04
, 5F049SE05
, 5F049SE07
, 5F049SS01
, 5F051AA04
, 5F051AA05
, 5F051BA04
, 5F051BA14
, 5F051CA02
, 5F051CA03
, 5F051CA04
, 5F051CA15
, 5F051CA22
, 5F051CA23
, 5F051CA26
, 5F051CB13
, 5F051DA04
, 5F051EA03
, 5F051EA09
, 5F051EA10
, 5F051EA11
, 5F051EA15
, 5F051EA16
, 5F051EA20
, 5F051FA02
, 5F051FA03
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051FA10
, 5F051FA13
, 5F051FA15
, 5F051GA03
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (16件)
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可撓性基板の搬送装置及び成膜装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-032591
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所, ティーディーケイ株式会社
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気相反応装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-126829
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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被膜形成装置および被膜形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-190030
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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