特許
J-GLOBAL ID：201403086687388922
III族窒化物半導体を作製する方法、半導体素子を作製する方法、III族窒化物半導体装置、熱処理を行う方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-183350
公開番号（公開出願番号）：特開2014-041917
出願日： 2012年08月22日
公開日（公表日）： 2014年03月06日
要約：
【課題】良好な導電性を示すIII族窒化物半導体を提供できる、III族窒化物半導体を作製する方法を提供する。【解決手段】工程S107では、III族窒化物半導体23の熱処理を行って、導電性III族窒化物半導体25を形成する。熱処理は第1熱処理27a及び第2熱処理27bを含む。工程S108では、第1流量L1の還元性ガス及び第2流量L2の窒素源ガスを含む処理ガスG1を供給しながら、第1熱処理では、第1流量L1はゼロより大きい。第2流量L2はゼロ以上である。工程S109では、第1熱処理27aを行った後に、第2熱処理27bを行う。第2熱処理27bでは、第3流量L3の還元性ガス及び第4流量L4の窒素源ガスを含む処理ガスG2を供給して、III族窒化物半導体23の熱処理を行う。第4流量L4はゼロより大きく、第3流量L3はゼロ以上である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体を作製する方法であって、
p型ドーパント及びn型ドーパントの少なくとも一方のドーパントを含むIII族窒化物半導体を準備する工程と、
還元性ガス及び窒素源ガスを用いて前記III族窒化物半導体の処理を行って、導電性III族窒化物半導体を形成する工程と、
を備え、
前記処理は、
第1流量の還元性ガス及び第2流量の窒素源ガスを含む第1処理ガスを処理装置に供給しながら、前記III族窒化物半導体の第1熱処理を行う工程と、
前記第1熱処理を行った後に、第3流量の還元性ガス及び第4流量の窒素源ガスを含む第2処理ガスを前記処理装置に供給して、前記III族窒化物半導体の第2熱処理を行う工程と、
を含み、
前記第1熱処理では、前記第1流量はゼロより大きく、前記第2流量はゼロ以上で、
前記第2熱処理では、前記第4流量はゼロより大きく、前記第3流量はゼロ以上で、
前記第2流量は前記第4流量よりも小さい、III族窒化物半導体を作製する方法。
IPC (12件)：
H01L 21/265
, H01L 21/223
, H01L 29/47
, H01L 29/872
, H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/337
, H01L 21/338
, H01L 29/808
, H01L 29/812
, H01L 21/28
H01L21/265 601A
, H01L21/223 C
, H01L29/48 D
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 658A
, H01L29/80 V
, H01L29/80 B
, H01L21/28 A
4M104AA04
, 4M104BB05
, 4M104CC03
, 4M104DD26
, 4M104FF02
, 4M104FF35
, 4M104GG03
, 5F102FA02
, 5F102GB01
, 5F102GB04
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ04
, 5F102GJ10
, 5F102GL04
, 5F102HC01
, 5F102HC07
, 5F102HC15
, 5F102HC21
