特許
J-GLOBAL ID：201503013212975255

炭化珪素半導体装置

発明者：
和田 圭司

和田 圭司 について

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日吉 透

日吉 透 について

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酒井 光彦

酒井 光彦 について

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内田 光亮

内田 光亮 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-105489
公開番号（公開出願番号）：特開2015-220437
出願日： 2014年05月21日
公開日（公表日）： 2015年12月07日
要約：
【課題】電界緩和領域およびその近傍の電極によって耐圧を高めることを可能にする炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置1は、炭化珪素層10と、炭化珪素層10に形成された半導体素子部7を含む素子領域IRと、JTE領域2(第1の電界緩和領域)と、第1の主面10a上に配置され、かつJTE領域2を覆う絶縁膜15b,70と、JTE領域2に電気的に接続されたパッド電極65とを備える。パッド電極65は、素子領域IRからJTE領域2へと向かう周縁方向(X)に、素子領域IR側のJTE領域2の端部から延在する延在部65aを含む。延在部65aは、絶縁膜15b,70を介在して、少なくともJTE領域2の一部に被さる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の主面と、前記第1の主面の反対側に位置する第2の主面とを有し、かつ、第1の導電型を有する炭化珪素層と、 前記炭化珪素層に形成された半導体素子部を含む素子領域と、 前記第1の導電型と異なる第2の導電型を有し、前記炭化珪素層の前記第1の主面に接し、かつ、平面視において前記素子領域を囲むように、前記炭化珪素層の内部に配置された第1の電界緩和領域と、 前記第1の主面上に配置され、かつ前記第1の電界緩和領域を覆う絶縁膜と、 前記第1の電界緩和領域に電気的に接続された電極とを備え、 前記電極は、 前記素子領域から前記第1の電界緩和領域へと向かう周縁方向に、前記素子領域側の前記第1の電界緩和領域の端部から延在する延在部を含み、 前記延在部は、前記絶縁膜を介在して、少なくとも前記第1の電界緩和領域の一部に被さる、炭化珪素半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/47
FI (13件)：
H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/86 301F ,  H01L29/86 301M ,  H01L29/91 D ,  H01L29/91 F ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 E
Fターム (12件)：
4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104FF10 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH18 ,  4M104HH20
引用特許：
審査官引用 (11件)
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