特許
J-GLOBAL ID：201503018622500957
ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその作成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-035398
公開番号（公開出願番号）：特開2013-172023
特許番号：特許第5759398号
出願日： 2012年02月21日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ダイヤモンド基板と、
前記ダイヤモンド基板の表面を水素原子で終端することにより形成された表面層と、
前記表面層を大気中に曝すことにより前記表面層上に形成された、大気中の分子からなる第一の吸着層と、
前記第一の吸着層上に互いに離間して形成された、ソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に露出した、前記第一の吸着層の上部全体を覆うように形成された、NO2分子からなる第二の吸着層と、
前記第二の吸着層上に形成された、酸素を含む化合物からなる保護層と、
前記保護層上に、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に離間して形成された、ゲート電極と
を備えたことを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/316 ( 200 6.01)
H01L 29/80 Q
, H01L 29/78 301 B
, H01L 21/316 X
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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