シリコンウェーハおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：杉村憲司 , 川原敬祐 , 福井敏夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-183149
公開番号（公開出願番号）：特開2015-050425
出願日： 2013年09月04日
公開日（公表日）： 2015年03月16日
要約：

【課題】ゲッタリング能力を有するシリコンウェーハであって、かつ、このシリコンウェーハを用いてエピタキシャルウェーハまたは貼り合わせウェーハを作製した際に、抵抗変動の生じさせないシリコンウェーハを製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェーハのおもて面から水素イオンを1.0×1013〜3.0×1016atoms/cm2のドーズ量で注入して、前記水素イオンが固溶してなるゲッタリング層を形成することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコンウェーハのおもて面から水素イオンを1.0×1013〜3.0×1016atoms/cm2のドーズ量で注入して、前記水素イオンが固溶してなるゲッタリング層を形成することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/322 , H01L 21/265 , H01L 21/02 , H01L 21/20 , H01L 27/12 , C30B 29/06

FI (7件)：

H01L21/322 J , H01L21/265 F , H01L21/265 Z , H01L21/02 B , H01L21/20 , H01L27/12 B , C30B29/06 504F

Fターム (15件)：

4G077AA03 , 4G077BA04 , 4G077DB01 , 4G077ED06 , 4G077EE08 , 4G077HA12 , 5F152LL03 , 5F152LP01 , 5F152MM01 , 5F152MM11 , 5F152MM18 , 5F152MM19 , 5F152NN03 , 5F152NP13 , 5F152NQ03

引用特許：

審査官引用 (14件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-209336 出願人：株式会社日立製作所
半導体ウエハの欠陥低減法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-145899 出願人：ヤマハ株式会社
特開昭56-018430

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