ダイヤモンド薄膜の表面処理方法、電界効果トランジスタの製造方法、及びセンサ素子

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 鈴木三義 , 村山靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-138972
公開番号（公開出願番号）：特開2015-063443
出願日： 2014年07月04日
公開日（公表日）： 2015年04月09日
要約：

【課題】フルオロカーボンの堆積膜の有無を制御することによってダイヤモンドの表面を所望の特性にすることが可能なダイヤモンド薄膜の表面処理方法等を提供する。【解決手段】本発明のダイヤモンド薄膜の表面処理方法は、必要となるダイヤモンド薄膜の表面特性に応じて、ダイヤモンド薄膜の表面にフルオロカーボンの堆積膜を堆積させずにダイヤモンド薄膜の水素終端の一部をフッ素終端に置換する第1置換処理と、ダイヤモンド薄膜の表面にフルオロカーボンの堆積膜を堆積させながらダイヤモンド薄膜の水素終端の一部をフッ素終端に置換する第2置換処理との何れか一方の処理を行う(工程S15)。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたダイヤモンド薄膜の表面処理方法であって、必要となる前記ダイヤモンド薄膜の表面特性に応じて、前記ダイヤモンド薄膜の表面にフルオロカーボンの堆積膜を堆積させずに前記ダイヤモンド薄膜の水素終端の一部をフッ素終端に置換する第1置換処理と、前記ダイヤモンド薄膜の表面にフルオロカーボンの堆積膜を堆積させながら前記ダイヤモンド薄膜の水素終端の一部をフッ素終端に置換する第2置換処理との何れか一方の処理を行うことを特徴とするダイヤモンド薄膜の表面処理方法。

IPC (5件)：

C30B 29/04 , G01N 27/414 , G01N 27/30 , H01L 29/786 , H01L 21/314

FI (6件)：

C30B29/04 V , G01N27/30 301V , G01N27/30 B , H01L29/78 625 , H01L21/314 A , C30B29/04 X

Fターム (27件)：

4G077AA03 , 4G077BA03 , 4G077DB30 , 4G077FJ10 , 4G077HA06 , 5F058BC14 , 5F058BF02 , 5F058BH12 , 5F058BH16 , 5F110AA24 , 5F110BB09 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110EE01 , 5F110EE45 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG28 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110NN06 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (6件)

イオンセンサおよびイオン濃度測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-031102 出願人：横河電機株式会社
インプリント用モールド及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-079455 出願人：凸版印刷株式会社
インプリント法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-083453 出願人：凸版印刷株式会社

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