フォトレジストパターンの作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鷲田公一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-503013
特許番号：特許第5652887号
出願日： 2011年03月01日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板表面に凹凸構造を有するマスク基板の少なくとも凸部に金属膜が配置された、プラズモン共鳴を生じる金属ナノ構造体からなるフォトマスクを準備するステップ、レジスト基板表面に成膜された、波長Xの光に感光するフォトレジスト膜を準備するステップ、前記フォトレジスト膜に前記フォトマスクを接触させるステップ、前記フォトレジスト膜に、前記波長Xよりも長く、かつ前記金属ナノ構造体のプラズモン共鳴バンドのピーク波長よりも50nm〜200nm短い波長Yの光を照射することで、前記フォトマスクの金属膜の表面においてプラズモン共鳴に基づく散乱光を発生させて、前記フォトマスクの金属膜のパターンを前記フォトレジスト膜に転写するステップを含む、フォトレジストパターンを作製する方法。

IPC (3件)：