特許
J-GLOBAL ID：201503087607793973
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-047801
公開番号（公開出願番号）：特開2013-165274
特許番号：特許第5684308号
出願日： 2013年03月11日
公開日（公表日）： 2013年08月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1のトランジスタを有し、
前記第1のトランジスタの上方に第2のトランジスタを有し、
前記第1のトランジスタの上方に抵抗素子を有し、
前記第1のトランジスタは、シリコンを有する半導体領域を有し、
前記第2のトランジスタは、第1の酸化物半導体層を有し、
前記抵抗素子は、第2の酸化物半導体層を有し、
前記シリコンを有する半導体領域が形成された後に、前記第1の酸化物半導体層及び前記第2の酸化物半導体層が形成され、
前記第1の酸化物半導体層と前記第2の酸化物半導体層とは同一の酸化物半導体膜をエッチングする工程を経て形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 21/02 ( 200 6.01)
, H01L 27/12 ( 200 6.01)
, G02F 1/1343 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
, H05B 33/14 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 612 D
, H01L 27/12 B
, G02F 1/134
, H05B 33/14 A
, H05B 33/14 Z
