特許
J-GLOBAL ID：201603001811901498
半導体装置、半導体装置の製造方法、及びアンテナスイッチモジュール
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
松尾 憲一郎
, 市川 泰央
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-245161
公開番号（公開出願番号）：特開2014-093504
特許番号：特許第6024400号
出願日： 2012年11月07日
公開日（公表日）： 2014年05月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 SOI(Silicon on Insulator)基板上に高周波スイッチデバイスを有し、
前記SOI基板の支持基板は、その基板全体に一様な密度で第1種の結晶欠陥を有し、
前記支持基板以外の部位は、前記第1種の結晶欠陥を有さず、
前記支持基板は、前記高周波スイッチデバイスが形成された素子層や金属配線が形成された配線層を含む半導体層に対して、貼り合わせにより接合されており、
前記高周波スイッチデバイスは、前記半導体層において、前記支持基板に接する側とは反対側の面寄りの位置に形成されており、
前記支持基板は、前記半導体層と接合された側に、前記第1種の結晶欠陥の分布範囲に重複して第2種の結晶欠陥が形成された結晶欠陥層を有し、
前記結晶欠陥層は、不活性ガス、炭素又はシリコンのイオン注入によって、前記半導体層と接合された側の表面から100nm〜数μmの深さで前記第2種の結晶欠陥が形成された層であり、
前記支持基板には、電子ビームの照射、ガンマー線若しくは中性子線の放射線照射、又は、重金属である鉄、金若しくは白金の熱拡散によって第1種の結晶欠陥が形成されている、半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/322 ( 200 6.01)
, H01L 21/263 ( 200 6.01)
, H01L 21/265 ( 200 6.01)
, H01L 21/02 ( 200 6.01)
, H01L 27/12 ( 200 6.01)
H01L 21/322 L
, H01L 21/263 E
, H01L 21/265 Q
, H01L 21/02 B
, H01L 27/12 B
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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