特許
J-GLOBAL ID：201603002254526014
フォトマスク及び表示装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
特許業務法人 津国
, 津国 肇
, 三宅 俊男
, 柴田 明夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-199013
公開番号（公開出願番号）：特開2016-071059
出願日： 2014年09月29日
公開日（公表日）： 2016年05月09日
要約：
【課題】 表示装置製造用マスクの露光環境に有利に適合し、微細なパターンが安定して転写できる優れたフォトマスク及びその製造方法を得る。【解決手段】 透明基板上に形成された転写用パターンを備えるフォトマスクであって、前記転写用パターンは、径W1(μm)の主パターンと、前記主パターンの近傍に配置された、幅d(μm)の補助パターンと、前記主パターン及び前記補助パターンが形成される以外の領域に配置された低透光部と、を有し、前記主パターン及び前記補助パターンを透過する前記代表波長の位相差が略180度であって、径W1、幅d、前記補助パターンの透過率T1(%)、前記低透光部の透過率T3(%)、及び前記主パターンの中心と前記補助パターンの幅方向の中心との距離をP(μm)が所定の関係を有する、フォトマスクである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透明基板上に形成された転写用パターンを備えるフォトマスクであって、前記転写用パターンは、
径W1(μm)の主パターンと、
前記主パターンの近傍に配置された、幅d(μm)の補助パターンと、
前記主パターン及び前記補助パターンが形成される以外の領域に配置された低透光部と、を有し、
前記主パターンを透過するi線〜g線の波長範囲にある代表波長と、前記補助パターンを透過する前記代表波長との位相差が略180度であって、
前記補助パターンを透過する前記代表波長の光の透過率をT1(%)とし、
前記低透光部を透過する前記代表波長の光の透過率をT3(%)とし、
前記主パターンの中心と、前記補助パターンの幅方向の中心との距離をP(μm)とするとき、下記の式(1)〜(4)を満たすことを特徴とする、フォトマスク。
0.8 ≦ W1 ≦ 4.0 ・・・・・・・・・・・・・・(1)
0.5 ≦ √(T1/100) × d ≦ 1.5 ・・・(2)
1.0 < P ≦ 5.0 ・・・・・・・・・・・・・・・(3)
T3 < T1 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(4)
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
2H095BA01
, 2H095BA02
, 2H095BA07
, 2H095BB03
, 2H095BB25
, 2H095BC24
, 2H195BA01
, 2H195BA02
, 2H195BA07
, 2H195BB03
, 2H195BB25
, 2H195BC24
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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