特許
J-GLOBAL ID：201603002364093083
炭化珪素半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-104223
公開番号（公開出願番号）：特開2013-232556
特許番号：特許第5939626号
出願日： 2012年04月27日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 単結晶炭化珪素基板のSi面を表面、C面を裏面とし、半導体素子を作製する半導体素子の製造方法において、
前記単結晶炭化珪素基板の裏面に第1導電型のドーパントのリン(p)のイオン注入を行う工程と、
前記単結晶炭化珪素基板の裏面の前記第1導電型ドーパントよりも浅い領域に第2導電型ドーパントとして、第13族元素(B、Al、Ga、In、Tl)のうちいずれか1種類以上を含むイオン注入を行う工程と、
前記単結晶炭化珪素基板の前記裏面全面を犠牲酸化する工程と、
前記犠牲酸化により形成された犠牲酸化膜を除去する工程と、
を含むことにより、前記単結晶炭化珪素基板の裏面の最表層を減速酸化させる
ことを特徴とする炭化珪素半導体素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 21/28 A
, H01L 21/28 301 B
