特許
J-GLOBAL ID：201603003013099669

構成情報を記憶するための予備セクタを有するメモリセルアレイ

発明者：
ジュン・ピル・キム

ジュン・ピル・キム について

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テヒュン・キム

テヒュン・キム について

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スンリュル・キム

スンリュル・キム について


出願人/特許権者：
クアルコム,インコーポレイテッド

クアルコム,インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 村山 靖彦 ,  黒田 晋平
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-543123
公開番号（公開出願番号）：特表2016-512646
出願日： 2013年11月19日
公開日（公表日）： 2016年04月28日
要約：
セルアレイおよび揮発性ストレージデバイスを含むメモリデバイスが提供される。セルアレイは、複数のワードライン、複数のビットライン、およびセルアレイについての構成情報を記憶するための不揮発性予備ワードラインを含む場合があり、ワードラインとビットラインの選択はメモリセルのアドレスを画定する。揮発性ストレージデバイスはセルアレイに結合される。不揮発性予備ワードラインからの構成情報は、メモリデバイスの電源投入時または初期化時に揮発性ストレージデバイスにコピーされる。
請求項（抜粋）：
複数のワードライン、 複数のビットラインであって、ワードラインとビットラインの選択がメモリセルのアドレスを画定する、複数のビットライン、および 前記セルアレイについての構成情報を記憶するための不揮発性予備ワードライン を含む、セルアレイと、 前記セルアレイに結合された揮発性ストレージデバイスであり、前記不揮発性予備ワードラインからの前記構成情報が、前記メモリデバイスの電源投入時または初期化時に前記揮発性ストレージデバイスにコピーされる、揮発性ストレージデバイスと を備える、メモリデバイス。
IPC (1件)：
G11C 29/00
FI (1件)：
G11C29/00 603J
Fターム (7件)：
5L106AA10 ,  5L106CC09 ,  5L106CC13 ,  5L106CC17 ,  5L106EE02 ,  5L106FF08 ,  5L106GG07
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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