半導体素子の形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤本健司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-182774
公開番号（公開出願番号）：特開2016-058500
出願日： 2014年09月08日
公開日（公表日）： 2016年04月21日
要約：

【課題】チャネル形成用の半導体領域とゲート酸化膜の界面に原子オーダーの平坦性を備えた半導体素子の形成方法を提供する。【解決手段】表面に素子分離パターンが形成されているSi半導体基板を不活性ガス雰囲気中に配し、900°C以下で所定時間アニール処理する。アニール処理前に、該アニール処理のアニール温度より低い温度での加熱処理を施す工程を含む。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

FETの形成過程において、表面に素子分離パターンが形成されているSi半導体基板を不活性ガス雰囲気中に配し、900°C以下で所定時間アニール処理する工程を含む半導体素子の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/324 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L29/78 301H , H01L21/324 X , H01L21/316 A

Fターム (19件)：

5F058BC02 , 5F058BF73 , 5F058BH01 , 5F058BH02 , 5F058BJ01 , 5F140AA01 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BC17 , 5F140BE01 , 5F140BE07 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BH15 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CF04 , 5F140CF05

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-272532 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-141570 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-373177

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