半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-068555
公開番号（公開出願番号）：特開2016-164993
出願日： 2016年03月30日
公開日（公表日）： 2016年09月08日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して信頼性が劣る場合があった。そこで、信頼性が高い酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を作製する。【解決手段】結晶構造が得られる組成比となるように、原料を混合して作製したc軸が上面の法線ベクトルに平行である結晶領域を有する酸化物半導体からなるスパッタリング用ターゲットを用い、スパッタリング法によって酸化物半導体膜を成膜する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体材料を有するスパッタリング用ターゲットを用いて、スパッタリング法で基板上に酸化物半導体膜を形成し、前記酸化物半導体材料は、In、Ga、及びZnを有し、前記スパッタリング用ターゲットは、結晶領域を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/363 , C23C 14/34 , C23C 14/08 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (5件)：

H01L21/363 , C23C14/34 A , C23C14/08 K , H01L29/78 618A , H01L29/78 618B

Fターム (107件)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA50 , 4K029BB08 , 4K029BD01 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC35 , 4K029KA01 , 4K029KA09 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD30 , 5F103GG02 , 5F103GG10 , 5F103LL13 , 5F103LL14 , 5F103NN01 , 5F103NN04 , 5F103NN05 , 5F103NN06 , 5F103RR06 , 5F103RR07 , 5F110AA06 , 5F110AA09 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110BB05 , 5F110CC01 , 5F110CC02 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD21 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ16 , 5F110HJ22 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HL23 , 5F110HM02 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (10件)

In-Ga-Zn系酸化物スパッタリングターゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-264085 出願人：出光興産株式会社
スパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-258273 出願人：キヤノン株式会社
半導体酸化物
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-205401 出願人：住友電気工業株式会社

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