特許
J-GLOBAL ID：201603013109434278
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
勝沼 宏仁
, 佐藤 泰和
, 川崎 康
, 関根 毅
, 山ノ井 傑
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-003608
公開番号（公開出願番号）：特開2014-135436
特許番号：特許第5923046号
出願日： 2013年01月11日
公開日（公表日）： 2014年07月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1のサイズを有する第1のコンタクトを備える半導体装置を製造するための設計データを作成し、
前記設計データからフォトマスクを作製する場合に、N個(Nは2以上の整数)の前記第1のコンタクトを、前記第1のサイズよりも大きい第2のサイズを有し、かつ、N個の前記第1のコンタクトを並列接続した場合の抵抗の0.9倍から1.1倍の抵抗を有する1つの第2のコンタクトに置き換えて、前記フォトマスクを作製し、
前記フォトマスクを用いて、ソース拡散層上およびドレイン拡散層上の少なくともいずれかに前記第2のコンタクトを備える前記半導体装置を製造する、
ことを含む半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, G03F 1/70 ( 201 2.01)
H01L 29/78 301 Y
, H01L 21/28 L
, H01L 21/90 C
, G03F 1/70
