特許
J-GLOBAL ID:201603017259601607

弾性波デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 片山 修平
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-029958
公開番号(公開出願番号):特開2013-168748
特許番号:特許第5931490号
出願日: 2012年02月14日
公開日(公表日): 2013年08月29日
請求項(抜粋):
【請求項1】 基板と、 前記基板上に形成された下部電極と、 前記下部電極上に形成され、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、チタン酸ジルコン酸鉛、またはチタン酸鉛を主に含む少なくとも2層の圧電膜と、 前記少なくとも2層の圧電膜に挟まれ、酸化シリコンまたは窒化シリコンを主に含み、前記少なくとも2層の圧電膜の弾性定数の温度係数とは逆符号の弾性定数の温度係数を有する絶縁膜と、 前記少なくとも2層の圧電膜上に形成された上部電極と、 を備え、前記圧電膜を挟み前記下部電極と前記上部電極とが対向する共振領域における前記絶縁膜の面積は前記共振領域の面積とは異なる圧電薄膜共振器を具備することを特徴とすることを特徴とする弾性波デバイス。
IPC (7件):
H03H 9/17 ( 200 6.01) ,  H03H 9/54 ( 200 6.01) ,  H03H 9/02 ( 200 6.01) ,  H01L 41/187 ( 200 6.01) ,  H01L 41/22 ( 201 3.01) ,  H01L 41/18 ( 200 6.01) ,  H01L 41/09 ( 200 6.01)
FI (9件):
H03H 9/17 F ,  H03H 9/54 Z ,  H03H 9/02 N ,  H03H 9/02 M ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/18 101 B ,  H01L 41/22 Z ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/08 C
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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