特許
J-GLOBAL ID：201603017891052171

半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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磯部 敦生

磯部 敦生 について

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家田 義紀

家田 義紀 について

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永井 雅晴

永井 雅晴 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-262983
公開番号（公開出願番号）：特開2013-153140
特許番号：特許第6022913号
出願日： 2012年11月30日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 酸化物半導体層上に、第1の導電膜を形成し、 前記第1の導電膜上にレジストを形成しフォトマスクを用いた露光を行った後、前記第1の導電膜を選択的にエッチングして、前記酸化物半導体層上に、第1の導電層と第2の導電層とを間隔をあけて形成し、 前記第1の導電層上と、前記第1の導電層と前記第2の導電層との間且つ前記酸化物半導体層上と、前記第2の導電層上、とに第2の導電膜を形成し、 前記第2の導電膜上にレジストを形成し電子ビームを用いた露光を行った後、前記第2の導電膜を選択的にエッチングして、前記第1の導電層上から前記第1の導電層と前記第2の導電層との間まで延びて配置される第3の導電層と、前記第2の導電層上から前記第1の導電層と前記第2の導電層との間まで延びて配置される第4の導電層と、を間隔をあけて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (15件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01) ,  H01L 27/088 ( 200 6.01) ,  H01L 27/08 ( 200 6.01)
FI (13件)：
H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 627 C ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/50 M ,  H01L 27/10 321 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 441 ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 27/08 102 E ,  H01L 27/08 331 E
引用特許：
出願人引用 (9件)
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