特許
J-GLOBAL ID：201603018333994442
エピタキシャル成長用基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
小池 晃
, 伊賀 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-016520
公開番号（公開出願番号）：特開2016-141575
出願日： 2015年01月30日
公開日（公表日）： 2016年08月08日
要約：
【課題】サファイア単結晶基板上に低転位密度の窒化アルミニウム膜を液相成長法により形成させたエピタキシャル成長用基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】サファイア単結晶基板10aの表面に窒素極性の窒化アルミニウム層10bを形成し、その極表面に酸素含有層10cを形成して窒化サファイア基板10を作製し、その窒化サファイア基板10を用い、窒化サファイア基板10上に、アルミニウム極性を有し、転位密度が1010/cm2以下の窒化アルミニウム膜20を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
サファイア単結晶基板の表面を窒化処理して該サファイア単結晶基板の表面に厚さ3nm以上20nm以下の窒素極性の窒化アルミニウム層を形成し、該窒素極性の窒化アルミニウム層の表面に酸素を含有させて酸素含有層を形成し、
前記酸素含有層上に、液相成長法により転位密度が1010/cm2以下のアルミニウム極性の窒化アルミニウム膜を形成することを特徴とするエピタキシャル成長用基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077CC04
, 4G077EB01
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EE06
, 4G077EF03
, 4G077HA02
, 4G077HA12
, 4G077LA01
