III族窒化物半導体積層構造体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 蛯谷厚志 , 小林良博 , 田崎豪治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-318791
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283895
出願日： 2008年12月15日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：

【課題】高度の結晶性を有し、特に直径100mm以上の大型基板を用いる場合でも全面均一に平坦なAlN結晶膜シード層を用いることにより、結晶性の良いGaN系薄膜を得、信頼性の高い高輝度のLED素子等を得る。【解決手段】サファイア基板上に、III族窒化物半導体からなる、n型半導体層、発光層およびp型半導体層を積層してなるIII族窒化物半導体積層構造体において、該サファイア基板表面にシード層としてスパッタ法で堆積されたAlN結晶膜を有し、そのAlN結晶膜は、結晶粒界の間隔が200nm以上であることを特徴とするIII族窒化物半導体積層構造体。好適には、AlN結晶膜表面の算術平均表面粗さ(Ra)が2Å以下であるのが好適である。さらに、AlN結晶膜中の酸素含有量は5原子%以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

サファイア基板上に、III族窒化物半導体からなる、n型半導体層、発光層およびp型半導体層を積層してなるIII族窒化物半導体積層構造体において、該サファイア基板表面にシード層としてスパッター法で堆積されたAlN結晶膜を有し、該AlN結晶膜は結晶粒界の間隔が200nm以上であることを特徴とするIII族窒化物半導体積層構造体。

IPC (5件)：

H01L 33/00 , C23C 14/06 , C23C 14/34 , C30B 29/38 , H01L 21/205

FI (6件)：

H01L33/00 C , C23C14/06 A , C23C14/34 N , C30B29/38 D , C30B29/38 C , H01L21/205

Fターム (43件)：

4G077AA03 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DA11 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077HA02 , 4G077SA04 , 4G077TA07 , 4G077TB05 , 4G077TK01 , 4K029AA07 , 4K029AA24 , 4K029BA58 , 4K029BB08 , 4K029BC07 , 4K029DC03 , 4K029DC35 , 5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F045AA04 , 5F045AA19 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AE25 , 5F045AF09 , 5F045BB02 , 5F045DA53

引用特許：

出願人引用 (13件)

特公昭62-29397号公報
特開昭48-40699号公報
米国特許6,692,568号明細書

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審査官引用 (7件)

単結晶窒化アルミニウム膜およびその形成方法、III族窒化物膜用下地基板、発光素子、並びに表面弾性波デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-068361 出願人：財団法人理工学振興会
半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-217875 出願人：株式会社東芝
窒化物半導体の結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-203793 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

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