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J-GLOBAL ID：201702221036772157   整理番号：17A0865326

電子ビームリソグラフィにおけるナノパターン形成の多重物理シミュレーション

Multiphysics Simulation of Nanopatterning in Electron Beam Lithography

著者 (3件)： Yasuda Masaaki (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University) ,  Tada Kazuhiro (Department of Electrical and Control Systems Engineering,National Institute of Technology, Toyama College) ,  Kotera Masatoshi (Department of Electronics, Information and Communication Engineering,Osaka Institute of Technology)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 29  号： 5  ページ： 725-730(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子ビームリソグラフィ(EBL)におけるパターン形成過程を分析するために,多重物理シミュレーションを行った。シミュレーションは,電子散乱および分子動力学シミュレーションのモンテカルロシミュレーションから成る。電子照射欠陥,パターン形成におけるレジスト加熱効果および荷電効果のようなEBLにおいて発生するいくつかの問題を,シミュレーションを用いて研究した。シミュレーションは,電子曝露レジスト表面の収縮,温度上昇によって引き起こされるパターンエッジの変化,および荷電効果によって誘起される電子ビーム着地点の移動を明らかにした。EBLにおけるパターン構造および応力分布についての原子スケールの情報もまた議論する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電子ビームリソグラフィー ,  パターン形成 ,  *シミュレーション ,  多重化 ,  電子散乱 ,  分子動力学 ,  レジスト ,  応力分布
準シソーラス用語： *ナノパターン形成 ,  多重 ,  *物理シミュレーション

著者キーワード (4件)： multiphysics simulation ,  electron beam lithography ,  molecular dynamics ,  Monte Carlo simulation

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

引用文献 (18件)：

• 1. K. Murata, E. Nomura, K. Nagami, T. Kato, and H. Nakata, Jpn. J. Appl. Phys., 17 (1978) 1851.
• 2. E. Nomura, K. Murata, and K. Nagami, Jpn. J. Appl. Phys., 18 (1979) 1353.
• 3. A. R. Neureuther, D.F. Kyser, and C.H. Ting, IEEE Trans. Electron Devices, ED-26 (1979) 686.
• 4. W. G. Oldham, S. N. Nandgaonkar, A. R. Neureuther, and M. O'Toole, IEEE Trans. Electron Devices, ED-26 (1979) 717.
• 5. K. Murata, D. F. Kyser, and C. H. Ting, J. Appl. Phys., 52 (1981) 4396.

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子ビームリソグラフィ ,  ナノパターン形成 ,  多重 ,  物理シミュレーション