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J-GLOBAL ID：201702230037199953   整理番号：17A1007010

電子ビームリソグラフィにおける現像プロセスのマルチスケールシミュレーション

Multiscale Simulation of the Development Process in Electron Beam Lithography

著者 (4件)： Yasuda Masaaki (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University) ,  Hitomi Sho (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University) ,  Kawata Hiroaki (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University) ,  Hirai Yoshihiko (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 30  号： 2  ページ： 205-209(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子ビームリソグラフィにおける現像プロセスを研究するため,マルチスケールシミュレーションを実行する。全てのパターンプロファイルを,セル除去シミュレーションによって計算する。パターンプロファイルを,レジストにおける電子散乱様式を反映するように示す。つぎに,局所的パターン構造を分子動力学シミュレーションによって研究する。多数の空孔を有する残りの層,残りのポリマー鎖および分子構造を反映する凹部側壁を,典型的な原子スケールのパターン構造として観察する。パターン粗さのサイズは,レジストの分子サイズと同等であることを観察する。現像剤分子の間でのレジスト分子の拡散プロセスもまた分析する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電子ビームリソグラフィー ,  カラー画像 ,  変換 ,  プロセスシミュレーション ,  *計算機シミュレーション ,  リソグラフィー ,  パターン形成 ,  表面粗さ
準シソーラス用語： *マルチスケールシミュレーション ,  現像処理 ,  分子動力学シミュレーション ,  パターンニング ,  粗さ【表面】

著者キーワード (5件)： Multiscale simulation ,  Electron beam lithography ,  Cell removal simulation ,  Molecular dynamics ,  Monte Carlo simulation

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

引用文献 (14件)：

• 1. K. Murata, E. Nomura, K. Nagami, T. Kato, and H. Nakata, Jpn. J. Appl. Phys., 17 (1978) 1851.
• 2. E. Nomura, K. Murata, and K. Nagami, Jpn. J. Appl. Phys., 18 (1979) 1353.
• 3. A. R. Neureuther, D.F. Kyser, and C.H. Ting, IEEE Trans. Electron Devices, ED-26 (1979) 686.
• 4. K. Murata, D. F. Kyser, and C. H. Ting, J. Appl. Phys., 52 (1981) 4396.
• 5. G. Owen and P. Rissman, J. Appl. Phys., 54 (1983) 3573.

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子ビームリソグラフィ ,  現像 ,  プロセス ,  マルチスケールシミュレーション