抵抗変化型メモリ

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：杉村憲司 , 岡野大和 , 鈴木俊樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-044397
公開番号（公開出願番号）：特開2017-034223
出願日： 2016年03月08日
公開日（公表日）： 2017年02月09日
要約：

【課題】基板110と、導電層120と、抵抗スイッチング層130と、銅含有酸化物層140と、および電子供給層150と、を備える抵抗変化型メモリ(ReRAM)を提供する。【解決手段】基板110上に導電層120を設ける。導電層120上に抵抗スイッチング層130を設ける。抵抗スイッチング層130上に銅含有酸化物層140を設ける。銅含有酸化物層140上に電子供給層150を設ける。さらに、導電層120は単層構造または多層構造を含んでもよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に設けた導電層と、前記導電層上に設けた抵抗スイッチング層と、前記抵抗スイッチング層上に設けた銅含有酸化物層と、前記銅含有酸化物層上に設けた電子供給層と、を備える抵抗変化型メモリ。

IPC (3件)：

H01L 27/105 , H01L 45/00 , H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 448 , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z

Fターム (11件)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083PR21 , 5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (10件)

自己整流型RRAMセル構造およびそのクロスバーアレイ構造
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-252387 出願人：華邦電子股ふん有限公司
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-206890 出願人：株式会社日立製作所
抵抗変化素子及びその動作方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-318427 出願人：日本電気株式会社

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