特許
J-GLOBAL ID：201703001321277572
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-032574
公開番号（公開出願番号）：特開2013-168617
特許番号：特許第6055598号
出願日： 2012年02月17日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の主表面と、前記第1の主表面に対向する第2の主表面とを有する半導体層と、
前記半導体層内に形成され、光電変換が行なわれる複数の受光素子と、
前記半導体層の前記第2の主表面の上方に配置され、前記受光素子に光を供給する受光レンズと、
前記半導体層の内部に形成される位置合わせ用マークとを備え、
前記位置合わせ用マークは、前記第1の主表面から前記第2の主表面に達するように延在し、
前記位置合わせ用マークは前記半導体層に形成された溝部の内部を充填するように形成され、
前記溝部の内部には前記溝部の側面と底面とを凹状に覆う導電膜または半導体膜からなる第1の層と、前記第1の層の内側に形成される絶縁膜からなる第2の層とを含み、前記位置合わせ用マークは前記溝部の内部の前記第1および第2の層により形成され、
前記半導体層はシリコンの単結晶からなり、前記第1の層はシリコンまたは金属材料を含み、前記第2の層はシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜である、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ( 200 6.01)
, H01L 21/02 ( 200 6.01)
, H04N 5/374 ( 201 1.01)
H01L 27/14 A
, H01L 21/02 A
, H04N 5/335 740
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (9件)
全件表示
前のページに戻る
