特許
J-GLOBAL ID：201703002142668425
磁気メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
永井 浩之
, 中村 行孝
, 佐藤 泰和
, 朝倉 悟
, 関根 毅
, 鈴木 順生
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-052961
公開番号（公開出願番号）：特開2017-168656
特許番号：特許第6203312号
出願日： 2016年03月16日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】固定された磁化を有する第1磁性層と、可変な磁化を有する第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に配置された第1非磁性層と、を有する磁気抵抗素子と、
前記第1磁性層に電気的に接続された第1配線と、
前記第2磁性層に電気的に接続され反強磁性体を含む第2配線と、
第3配線と、
前記第2配線と前記第3配線との間に配置された絶縁層と、
前記第2配線と前記第3配線との間に電圧を印加する第1書き込み回路と、
前記第1配線と前記第2配線に接続された読み出し回路と、
を備え、前記第1書き込み回路によって前記第2配線と前記第3配線との間に、第1極性の第1電圧を印加した場合と前記第1極性と異なる第2極性の第2電圧を印加した場合とでは、前記第2磁性層の磁化方向が互いに異なる磁気メモリ。
IPC (5件)：
H01L 21/8239 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 43/10 ( 200 6.01)
, H01L 43/08 ( 200 6.01)
, G11C 11/16 ( 200 6.01)
H01L 27/105 447
, H01L 43/10
, H01L 43/08 Z
, G11C 11/16 212
, G11C 11/16 214
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (3件)
引用文献：
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