気相エッチング方法及びエピタキシャル基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：石原進介 , 石原詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-055179
公開番号（公開出願番号）：特開2017-168781
出願日： 2016年03月18日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：

【課題】気相成長装置のチャンバー内に堆積したウォールデポをエッチングにより除去する際、エッチング時間を短縮でき、オーバーエッチングによるサセプタのダメージを減少させ、生産性を向上することができる気相エッチング方法及びエピタキシャル基板の製造方法を提供する。【解決手段】チャンバー1内を昇温させ、ウォールデポの存在しない状態でのサセプタ2の温度を予め測定することにより基準温度を設定しておく工程と、チャンバー1内を昇温させた状態でのサセプタ2の温度が基準温度よりも低い場合には、ウォールデポが生成されているものとみなして気相エッチングを行う気相エッチング開始工程と、サセプタ2温度が基準温度となったら気相エッチングを終了する気相エッチング終了工程と、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板が載置されるサセプタと、前記サセプタが収容され、透明石英部材により封止されたチャンバーと、前記チャンバーの外側に設けられ、測定光路が前記透明石英部材の内壁面上のウォールデポの生成が予測される箇所を横切って前記チャンバー内のサセプタ温度を測定するように設置されたサセプタ温度測定用パイロメーターと、を有する気相成長装置において実施される気相エッチング方法であり、前記チャンバー内を昇温させ、前記ウォールデポの存在しない状態での前記サセプタ温度を予め測定することにより基準温度を設定しておく工程と、前記チャンバー内を昇温させた状態での前記サセプタ温度が前記基準温度よりも低い場合には、前記ウォールデポが生成されているものとみなして気相エッチングを行う気相エッチング開始工程と、前記サセプタ温度が前記基準温度となったら前記気相エッチングを終了する気相エッチング終了工程と、を含む気相エッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 , H01L 21/205 , C23C 16/44

FI (3件)：

H01L21/302 201 , H01L21/205 , C23C16/44 J

Fターム (40件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA06 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030KA09 , 4K030KA39 , 5F004AA15 , 5F004BA19 , 5F004BD04 , 5F004CA09 , 5F004CB12 , 5F004DA29 , 5F004DB02 , 5F045AA01 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC13 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF03 , 5F045BB02 , 5F045BB08 , 5F045BB13 , 5F045BB15 , 5F045DP04 , 5F045DP28 , 5F045DQ10 , 5F045EB06 , 5F045EC03 , 5F045EK12 , 5F045EK14 , 5F045GB05

引用特許：

審査官引用 (11件)

気相成長装置及びクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-012012 出願人：日本電気株式会社
成膜装置のクリーニング方法及びそのクリーニング機構
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-166099 出願人：東京エレクトロン株式会社
基板処理装置及びそのクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-273174 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る