特許
J-GLOBAL ID：201703003811249723

炭素膜処理装置

発明者：
浅井 朋彦

浅井 朋彦 について

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佐原 純輝

佐原 純輝 について

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中森 秀樹

中森 秀樹 について

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平塚 傑工

平塚 傑工 について


出願人/特許権者：
学校法人日本大学

学校法人日本大学 について

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ナノテック株式会社

ナノテック株式会社 について


代理人 (1件)： 生井 和平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-236834
公開番号（公開出願番号）：特開2017-103393
出願日： 2015年12月03日
公開日（公表日）： 2017年06月08日
要約：
【課題】炭素膜を短時間で簡単に基材表面から除去可能な炭素膜処理装置を提供する。【解決手段】基材上に生成される炭素膜を大気圧雰囲気下において処理する炭素膜処理装置は、大気圧プラズマ装置10を具備する。大気圧プラズマ装置10は、大気圧雰囲気に置かれる炭素膜2に対して大気圧プラズマを照射可能なものである。大気圧プラズマ装置10は、動作ガスとしてアルゴンガスを用いる。大気圧プラズマ装置10により生成される大気圧プラズマにより、炭素膜2が酸化させられ気化させられる。これにより、基材1が露出するまで化学的に炭素膜2を除去することが可能となる。炭素膜2としては、DLC膜、フッ素化DLC膜、又は中間層を有するDLC膜が挙げられる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基材上に生成される炭素膜を大気圧雰囲気下において処理する炭素膜処理装置であって、該炭素膜処理装置は、 大気圧雰囲気に置かれる炭素膜に対して大気圧プラズマを照射可能な大気圧プラズマ装置を具備し、 前記大気圧プラズマ装置は、動作ガスとしてアルゴンガスを用いて生成する大気圧プラズマにより炭素膜を酸化させ気化させることを特徴とする炭素膜処理装置。
IPC (8件)：
H01L 21/306 ,  C23C 16/56 ,  C23C 14/58 ,  C01B 32/15 ,  C01B 32/18 ,  C01B 32/182 ,  B01J 19/08 ,  H05H 1/30
FI (6件)：
H01L21/302 101E ,  C23C16/56 ,  C23C14/58 Z ,  C01B31/02 101Z ,  B01J19/08 H ,  H05H1/30
Fターム (39件)：
2G084AA03 ,  2G084AA07 ,  2G084BB12 ,  2G084CC03 ,  2G084CC08 ,  2G084CC19 ,  2G084CC20 ,  2G084CC34 ,  2G084DD12 ,  2G084DD14 ,  2G084DD17 ,  2G084FF02 ,  2G084GG02 ,  2G084GG07 ,  2G084GG22 ,  4G075AA24 ,  4G075AA61 ,  4G075BA06 ,  4G075CA51 ,  4G075DA02 ,  4G075EB43 ,  4G075EC01 ,  4G146AA01 ,  4G146AA05 ,  4G146AB07 ,  4G146AD40 ,  4G146CB16 ,  4G146CB22 ,  4G146CB32 ,  4G146CB35 ,  4K029GA02 ,  4K030DA08 ,  5F004AA09 ,  5F004BA20 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00
引用特許：
審査官引用 (8件)
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