特許
J-GLOBAL ID:201703019272229431
透明導電膜上への導電性皮膜形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
豊永 博隆
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-185863
公開番号(公開出願番号):特開2017-057484
出願日: 2015年09月18日
公開日(公表日): 2017年03月23日
要約:
【課題】 ITO膜等の透明導電膜上に銀、銅などの導電性皮膜を強固に密着形成する。【解決手段】 ITO膜等の透明導電膜上に下地皮膜を介して銀、銅、スズなどの導電性皮膜を形成する方法であって、当該下地皮膜がニッケル-リン皮膜であり、下地皮膜を所定の錯化剤と界面活性剤を含む電気メッキ浴を用いた電着皮膜で形成することで、透明導電膜上に下地皮膜を強固に形成できるため、導電性皮膜を良好に密着形成できる。下地皮膜を従来より低温領域で熱処理すると、下地皮膜の密着性をさらに強固にできる。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
透明導電膜上に導電性皮膜を形成する方法において、
(1)透明導電膜上に電気ニッケル系メッキ浴を用いて、ニッケル-リン皮膜からなる下地皮膜をメッキ形成する工程と、
(2)当該下地皮膜上に、下地皮膜より電気抵抗率が低い導電性皮膜を形成する工程とからなり、
上記電気ニッケル系メッキ浴は、
(a)可溶性ニッケル塩と、
(b)リンを含む化合物と、
(c)アミノカルボン酸類、オキシカルボン酸類、糖質、アミノアルコール類、ポリカルボン酸類、ポリアミン類より選ばれた錯化剤と、
(d)ノニオン性界面活性剤、両性界面活性剤より選ばれた界面活性剤の少なくとも一種
とを含有することを特徴とする透明導電膜上への導電性皮膜形成方法。
IPC (7件):
C25D 3/12
, H01B 13/00
, C25D 3/56
, C25D 5/12
, C25D 5/50
, C25D 7/00
, C23C 28/02
FI (8件):
C25D3/12 102
, H01B13/00 503Z
, C25D3/12
, C25D3/56 101
, C25D5/12
, C25D5/50
, C25D7/00 G
, C23C28/02
Fターム (38件):
4K023AA12
, 4K023AB20
, 4K023BA06
, 4K023BA15
, 4K023CB03
, 4K023CB05
, 4K023CB16
, 4K023DA02
, 4K023DA03
, 4K023DA06
, 4K023DA07
, 4K023DA08
, 4K024AA01
, 4K024AA03
, 4K024AA07
, 4K024AA09
, 4K024AA10
, 4K024AA11
, 4K024AA12
, 4K024AA14
, 4K024AB02
, 4K024BA15
, 4K024BB09
, 4K024CA01
, 4K024CA02
, 4K024CA03
, 4K024CA04
, 4K024CA06
, 4K044AA11
, 4K044BA02
, 4K044BA06
, 4K044BB03
, 4K044BC05
, 4K044CA02
, 4K044CA15
, 4K044CA18
, 4K044CA62
, 5G323AA03
引用特許:
出願人引用 (17件)
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審査官引用 (13件)
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引用文献:
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