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J-GLOBAL ID：201802221176220889   整理番号：18A1330568

塩素プラズマを用いたGaNエッチングプロセスにおけるプラズマ誘起ダメージと化学反応の温度依存性

Temperature dependence on plasma-induced damage and chemical reactions in GaN etching processes using chlorine plasma

著者 (8件)： LIU Zecheng (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ISHIKAWA Kenji (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  IMAMURA Masato (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TSUTSUMI Takayoshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KONDO Hiroki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ODA Osamu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SEKINE Makoto (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HORI Masaru (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 6S2  ページ： 06JD01.1-06JD01.6  発行年： 2018年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *塩素 ,  *プラズマエッチング ,  *窒化ガリウム ,  *照射損傷 ,  *化学反応 ,  温度依存性 ,  加工速度 ,  原子間力顕微鏡 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： *プラズマダメージ ,  エッチング速度 ,  AFM【顕微鏡】 ,  電子移動度

分類 (2件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

引用文献 (51件)：

• H. Kawai, S. Yagi, S. Hirata, F. Nakamura, T. Saito, Y. Kamiyama, M. Yamamoto, H. Amano, V. Unni, and E. M. S. Narayanan, Phys. Status Solidi A 214, 1600834 (2017).
• N. Ikeda, Y. Niiyama, H. Kambayashi, Y. Sato, T. Nomura, S. Kato, and S. Yoshida, Proc. IEEE 98, 1151 (2010).
• M. Sugiura, M. Kushimoto, T. Mitsunari, K. Yamashita, Y. Honda, H. Amano, Y. Inoue, H. Mimura, T. Aoki, and T. Nakano, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 05FJ02 (2016).
• S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
• D. Basak, K. Yamashita, T. Sugahara, Q. Fareed, D. Nakagawa, K. Nishino, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 2646 (1999).

タイトルに関連する用語 (8件)： 塩素 ,  プラズマ ,  GaN ,  エッチングプロセス ,  誘起 ,  ダメージ ,  化学反応 ,  温度依存性