窒化物半導体層にn電極を形成する方法及び半導体レーザ素子の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：蟹田昌之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-143114
公開番号（公開出願番号）：特開2015-018841
特許番号：特許第6268773号
出願日： 2013年07月08日
公開日（公表日）： 2015年01月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】酸素を含む雰囲気中において、指向性を有するプラズマ処理を窒化物半導体層の窒素面に対して行う工程と、前記プラズマ処理された窒化物半導体層の窒素面にn電極を形成する工程と、を有し、前記プラズマ処理は、逆スパッタ処理により行われ、前記n電極の形成は、スパッタ処理により行われ、前記n電極は金属又は合金の積層膜により形成され、前記プラズマ処理中に酸素が供給され、前記酸素の供給は前記n電極の一層目が成膜されるまで継続される、ことを特徴とする窒化物半導体層にn電極を形成する方法。

IPC (3件)：