窒化物半導体素子の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-056098
公開番号（公開出願番号）：特開2008-218826
出願日： 2007年03月06日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：

【課題】ドライエッチングによって形成されたメサ構造を有する窒化物半導体素子において、ドライエッチングにより生じたダメージ層を除去することにより、電気特性、光学特性が改善された窒化物半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】ドライエッチングによって形成されたメサ構造を有する窒化物半導体素子の製造方法であって、窒素プラズマを含む雰囲気中で、前記ドライエッチングにより露出した面を、プラズマ処理する工程(A)を含むことを特徴とする。工程(A)の前にドライエッチングにより露出した面の清浄化を行なうアッシング工程(B)を設けてもよい。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ドライエッチングによって形成されたメサ構造を有する窒化物半導体素子の製造方法であって、窒素プラズマを含む雰囲気中で、前記ドライエッチングにより露出した面を、プラズマ処理する工程(A)を含むことを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01S 5/22 , H01S 5/343 , H01L 33/00 , H01L 21/306

FI (4件)：

H01S5/22 , H01S5/343 610 , H01L33/00 C , H01L21/302 106

Fターム (27件)：

5F004AA07 , 5F004BA14 , 5F004BB18 , 5F004BD05 , 5F004DA04 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F041AA08 , 5F041CA40 , 5F041CA49 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA92 , 5F041CA99 , 5F041CB05 , 5F041CB11 , 5F173AA08 , 5F173AH22 , 5F173AJ04 , 5F173AJ13 , 5F173AK08 , 5F173AP05 , 5F173AP33 , 5F173AP39 , 5F173AP43 , 5F173AR62

引用特許：

出願人引用 (1件)

3族窒化物半導体のドライエッチング方法及び電極形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-203130 出願人：豊田合成株式会社

審査官引用 (12件)

窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-059153 出願人：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-068791 出願人：富士写真フイルム株式会社
半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-083095 出願人：ソニー株式会社

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