特許
J-GLOBAL ID：201803016673948820

半導体光増幅器

発明者：
吉田谷 弘明

吉田谷 弘明 について

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山田 敦史

山田 敦史 について

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森本 慎太郎

森本 慎太郎 について


出願人/特許権者：
アンリツ株式会社

アンリツ株式会社 について


代理人 (1件)： 有我 軍一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-218651
公開番号（公開出願番号）：特開2017-028330
特許番号：特許第6240738号
出願日： 2016年11月09日
公開日（公表日）： 2017年02月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 障壁層(142)と複数の半導体層からなる複合量子井戸層(141,241,341,441)とを有し、当該障壁層と当該複合量子井戸層とが交互に積層されてなる量子井戸の活性層(14,24)が基板(11)上に形成された半導体光増幅器(1〜5)において、 前記複合量子井戸層の前記複数の半導体層は、当該複合量子井戸層内の量子準位を制御する少なくとも1層の量子準位制御層(143,443a,443b)と、当該量子準位制御層よりもバンドギャップの小さい少なくとも1層の主量子井戸層(144)とからなり、 電子の基底量子準位と前記障壁層の伝導帯端とのエネルギー差は電子のオーバーフローを抑制するように十分に大きく設定され、 前記主量子井戸層が前記基板に対して伸張歪を有し、 前記量子準位制御層は、 前記複合量子井戸層内の軽いホールの基底量子準位を重いホールの基底量子準位に近づけるように制御し、 前記重いホールの基底量子準位と前記軽いホールの基底量子準位がともに前記主量子井戸層の重いホール帯端と前記量子準位制御層の重いホール帯端との間に位置し、 かつ電子-重いホール間の再結合効率よりも電子-軽いホール間の再結合効率が高いことを特徴とする半導体光増幅器。
IPC (1件)：
H01S 5/343 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01S 5/343
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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