半導体焼結体、電気・電子部材、及び半導体焼結体の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：伊東忠重 , 伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-095173
公開番号（公開出願番号）：特開2019-068038
出願日： 2018年05月17日
公開日（公表日）： 2019年04月25日
要約：

【課題】低い熱伝導率を有しつつ、電気伝導率を高めた焼結体材料を提供する。【解決手段】多結晶体を含む半導体焼結体であって、前記多結晶体は、シリコン、又はシリコン合金を含み、前記多結晶体を構成する結晶粒の平均粒径が1μm以下であり、前記結晶粒の粒界に、シリコンの炭化物、窒化物、酸化物の1種以上を含むナノ粒子が存在している、半導体焼結体。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

多結晶体を含む半導体焼結体であって、前記多結晶体は、シリコン、又はシリコン合金を含み、前記多結晶体を構成する結晶粒の平均粒径が1μm以下であり、前記結晶粒の粒界に、シリコンの炭化物、窒化物、酸化物の1種以上を含むナノ粒子が存在している、半導体焼結体。

IPC (3件)：

H01L 35/14 , C01B 33/02 , H01L 35/34

FI (3件)：

H01L35/14 , C01B33/02 E , H01L35/34

Fターム (33件)：

4G072AA02 , 4G072BB01 , 4G072BB02 , 4G072BB05 , 4G072BB12 , 4G072DD05 , 4G072GG01 , 4G072GG03 , 4G072HH01 , 4G072HH04 , 4G072JJ07 , 4G072KK17 , 4G072LL01 , 4G072LL03 , 4G072LL11 , 4G072MM01 , 4G072MM02 , 4G072MM26 , 4G072MM37 , 4G072MM38 , 4G072QQ09 , 4G072RR12 , 4G072RR13 , 4G072RR15 , 4G072RR22 , 4G072RR25 , 4G072TT01 , 4G072TT02 , 4G072TT04 , 4G072TT17 , 4G072TT19 , 4G072TT30 , 4G072UU01

引用特許：

審査官引用 (17件)

熱発電材料およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-200339 出願人：三菱マテリアル株式会社
等電子不純物を含有するシリコン系熱電材料
公報種別：公表公報出願番号：特願2016-518021 出願人：アルファベットエナジーインコーポレイテッド
ナノ複合材料の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-125336 出願人：トヨタ自動車株式会社

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